李建军
- 作品数：138 被引量：221H指数：8
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
- 2007年
- 利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
- 张楠崔碧峰刘斌邹德恕李建军高国张蕾王智群沈光地
- 关键词：电流扩展
- Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响。
- 林委之李建军于晓东邓军廉鹏韩军邢艳辉沈光地
- 关键词：红光LED金属有机物化学气相沉积
- 全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响被引量：2
- 2007年
- 采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性，用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合，从模拟和实验的结果得到,SiO2/AuODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上。对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°-85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率，在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%。这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率。
- 孙昊韩军李建军邓军邹德恕宋小伟宋欣原沈光地
- 关键词：模拟计算发光二极管
- 一种面向光电容积脉搏波血压测量的光电集成传感芯片
- 一种面向光电容积脉搏波血压测量的光电集成传感芯片，从芯片的顶视图看，包括四个光发射区，光探测区,光发射区的接触电极,光探测区的接触电极,光发射区的压焊电极，光探测区的压焊电极，将四个相对独立光发射区以及光探测区之间相互隔...
- 李建军付聪乐
- 量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究被引量：7
- 2002年
- 小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。
- 邹德恕廉鹏徐晨崔碧峰杜金玉张丽刘莹李建军沈光地
- 关键词：半导体激光器阈值电流
- 高性能正装AlGaInP红光LED的制备
- 介绍了常规 AlGaInP 红光 LED 的研制和产业化过程中所遇到的问题,以及国内外提出的主要解决途径。提出了独特的解决方案:外延生长与芯片技术相结合,制备了特殊的电流输运增透窗口层,同时解决了红光 LED 存在的2个...
- 陈依新沈光地蒋文静李建军高伟韩金茹
- 文献传递
- 一种应用于非接触式智能IC卡的自校准振荡器
- 一种应用于非接触式IC卡的自校准振荡器，属于IC卡系统时钟的技术领域，其特征为数字电路提供时钟及对解调接收信号和调制发送信号起着重要作用。非接触式IC卡采用100%幅移键控调制，在RF场中存在一个“间隙（pause）”，...
- 万培元马跃刘姗姗肖泓屹李建军唐军林平分
- 文献传递
- 应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
- 2005年
- 采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱。对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1300nm波段的新型长波长半导体光电子材料。
- 俞波韩军李建军盖红星牛南辉邓军邢艳辉廉鹏沈光地
- 关键词：应变量子阱光增益GAINNAS
- 依托专业特色,培养创新人才被引量：2
- 2012年
- 培养创新人才是高校教育的基本方针,加强实践教学建设,是培养创新人才的关键所在。北京工业大学电子科学与技术专业定位于培养微电子器件、集成电路设计和芯片制备工艺等方面的专业技术人才,在实践教学中建设了由集成电路设计实验室(设计)、微电子工艺实习基地(工艺)和专业基础实验室(测试)构成的微电子实践教学体系,另一方面采取多种措施,加强实践教学队伍建设,从而达到了依托专业特色、培养创新人才的目的。
- 袁颖李建军刘桤
- 关键词：实践教学电子科学与技术
- 一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片
- 一种基于共振腔的光发射‑‑四象限光探测集成芯片，属于半导体光电子领域。包括四象限光探测区域,光发射区,四象限光探测区的接触电极,光发射区的接触电极,四象限光探测区的压焊电极，光发射区的压焊电极，将光发射区以及各四象限光探...
- 李建军周晓倩
- 文献传递
