李忠吉
- 作品数：3 被引量：16H指数：3
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 氢促进位错发射和裂纹扩展的三维分子动力学模拟被引量：8
- 2002年
- 对纯Ni和Ni+H,用EAM多体势的三维分子动力学模拟表明,不论裂纹取向如何,加载时均是首先发射位错,只有当发射足够多的位错后裂纹才扩展,即使对于氢脆,也以局部塑性变形为先导,对于沿(111)滑移面的位错,氢使位错发射的应力强度因子K_(Ie)从0.42降为0.36MPa·m^(1/2);使裂纹开始扩展的临界应力强度因子K_(IP)从0.8降为0.76MPa·m^(1/2),总之,氢促进裂纹的发射和扩展。
- 李忠吉褚武扬高克玮李金许乔利杰
- 关键词：NI氢位错发射镍晶体缺陷
- 吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟被引量：5
- 2001年
- 根据反演法获得的对势和ＥＡＭ多体势计算了纯Ａｌ位错发射的临界应力强度因子ＫＩｅ以及Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子 ＫＩＧ．结果表明，用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近. 因此，用对势来研究吸附的影响是可行的．分子动力学模拟表明，Ｇａ吸附在裂纹表面将使 ＫＩＧ＝０．４２ ＭＰａ·ｍ降至 ＫＩＧ＝０．３２ ＭＰａ·ｍ，这表明吸附使表面能γ降至γ（＝０.８７γ）．Ｇａ吸附使 ＫＩｅ＝０．３１ ＭＰａ·ｍ降至 ＫＩｅ＝０．２４ ＭＰａｍ；Ｇａ吸附使位错运动的临界分切应力从Ｔｃ＝２．０５ＭＰａ降至Ｔｃ＝１．８２ ＭＰａ．这就表明，Ｇａ吸附后能降低Ａｌ的表面能，从而促进位错发射和运动.
- 李忠吉刘辉高克玮乔利杰褚武扬
- 关键词：分子动力学模拟位错发射位错运动铅镓
- 氢促进纯镍位错发射的分子动力学模拟及实验证明被引量：3
- 2002年
- 采用 ＥＡＭ多体势的分子动力学模拟表明，Ｎｉ中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子ＫＩｅ（θ＝４５°）从 １．００ ＭＰａ·ｍ１／２降为 ０．９０ＭＰａｍ·１／２；使 ＫＩｅ（θ＝７０°）从 ０．８２ ＭＰａ＞·ｍ１／２降为 ０．７０ ＭＰａ·ｍ１／２，即氢能促进位错的发射 另外 氢能使（１１１）滑移面上的 Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子ＫＩＧ（θ＝０°）从 １．０３ ＭＰ·ａｍ１／２降为０．９３ ＭＰａ·ｍ１／２、即氢使(１１）面的表面能下降 γ１１１（Ｈ）＝０．８２θθγ１１１；从而促进位错的发射 透射电＃（ＴＥＭ）原位观察表明，在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动。
- 李忠吉李金许褚武扬王燕斌乔利杰
- 关键词：分子动力学模拟氢位错发射TEM
