李振伟
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：西北工业大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 用光辐照法在SBN:Cr晶体中写入动态阵列平面光波导被引量：10
- 2004年
- 利用扩展的准直He_Ne激光束通过菲涅耳双棱镜所形成的干涉光场辐照SBN :Cr晶体 ,同时沿晶体光轴方向施加适当的直流电场 ,可在晶体中形成类似于体相位光栅结构的阵列平面光波导 .采用马赫_曾德干涉仪光路实时测量了所写入阵列平面光波导的横向折射率分布 ,其峰值接近 1 0 - 4.初步的导光测试结果表明 ,利用周期结构光辐照并辅以适当的外加电场在SBN :Cr晶体中写入阵列平面光波导是可行的 .并且由于SBN :Cr晶体的快速响应特性 ,所写入的光波导是动态的 ,可随着写入光的撤除而快速消失 ,或通过改变双光束夹角而写入不同周期的阵列平面光波导 ,从而实现阵列光波导的动态控制 .此外 ,通过改变外电场的大小可以有效地控制写入波导区折射率的大小 。
- 赵建林李碧丽张鹏杨德兴李振伟
- 关键词：折射率分布外电场光学通信
- 外电场对SBN:Cr晶体二波耦合特性的影响及应用被引量：3
- 2004年
- 对固液同成分SBN :Cr(Sr0 6 1 Ba0 39Nb2 O6 :Cr)晶体在外加直流电场作用下的光折变二波耦合特性及其应用进行了实验研究 ,分析了晶体的二波耦合强度增益系数随外电场变化的趋势 ,并给出了实验测量结果 .发现在适当的外电场作用下 ,晶体的光折变二波耦合增益和响应速度可以得到一定程度的提高 .进一步的研究表明 ,这种电场响应特性有助于改善SBN :Cr晶体的某些应用性能 .利用该晶体通过光折变二波耦合非线性放大原理实现光学图像边沿增强时 ,通过给晶体沿轴向施加适当的外电场 ,可进一步提高图像边沿增强效果 ;在基于光折变边沿增强预处理的联合变换相关器中 。
- 赵建林李振伟杨德兴马仰华杨东升
- 关键词：二波耦合外电场光折变联合变换相关器外加电场增益系数
- SBN:Cr晶体的光折变四波混频相位共轭特性实验研究被引量：2
- 2002年
- 从实验上研究了同成分SBN :Cr晶体在He-Ne激光照射下的四波混频相位共轭特性 首先测量了在不同泵浦光与信号光光强比m及不同光束夹角 2θ的情况下 ,晶体的四波混频相位共轭反射率R随泵浦光强比 p的变化关系 其次测量了泵浦光束与信号光束耦合方向对SBN :Cr晶体的四波混频相位共轭特性的影响 ,并就两种不同掺杂浓度的晶体样品进行了对比 ,所得实验结果与理论分析基本一致 最后 ,利用SBN
- 杨东升赵建林李振伟许其推张鹏
- 关键词：光折变效应四波混频相位共轭
- 外电场作用下掺杂SBN晶体的光致折射率变化被引量：1
- 2003年
- 从实验上研究了不同外加直流电场作用下固液同成分的SBN∶Cr和SBN∶Rh晶体的光致折射率变化规律 测量结果表明 :无外加电场作用时 ,晶体中的光致折射率变化不明显 ;若在光辐照晶体的同时 ,沿晶体c轴方向施加一定方向的外电场 ,则晶体中即刻出现显著的光致折射率变化 这种折射率变化随外加电场的增大而增大 ,并且电场方向不同 ,折射率变化的正负也不同 因而可以通过改变外加电场的极性和幅度控制SBN∶Cr和SBN∶Rh晶体中光致折射率的变化特性 。
- 赵建林李碧丽杨德兴张鹏李振伟
- 关键词：外电场晶体光学光路设计
- SBN:Cr晶体中光折变过程的电场响应特性研究
- 作为一种在红光区具有较高光折变灵敏度和快速响应的优质光折变材料，SBN∶Cr晶体具有重要的研究价值。通过分析光折变效应的微观机制，可知外加直流电场能够显著地改变其光折变性能。本文依据光折变非线性光学的光波耦合理论和传输理...
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