束平
- 作品数：28 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十九研究所更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种在LTCC基板高平整表面上高精密微细线条的制作方法
- 本发明涉及一种在LTCC基板高平整表面上高精密微细线条的制作方法，包括以下过程：步骤1、将烧结后的多层LTCC电路基板表面磨平；步骤2、在磨平后的基板表面上制作导体图形；步骤3、对导体图形进行精密修饰，获得高精度微细线条...
- 杨宇岳帅旗束平徐洋黄翠英张刚
- CHF_3/Ar等离子体刻蚀BST薄膜的机理研究被引量：1
- 2011年
- 采用XPS方法,通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析,探讨了CHF3/Ar等离子刻蚀BST薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理.研究结果表明,在刻蚀过程中,金属Ba,Sr,Ti和F等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面,因为TiF4具有高挥发特性,残余物几乎没有钛氟化物.然而,XPS表明Ti-F仍然少量存在,认为是存在于Metal-O-F这种结构中,而O1s进一步证实了Metal-O-F的存在.基于原子的相对百分含量,我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟,源于高沸点的氟化物BaF2和SrF2沉积,导致刻蚀速度仅达12.86nm/min.同时并没有发现C-F多聚物的形成,因此去除残余物BaF2和SrF2有利于进一步刻蚀.针对这种分析结果,本文提出对BST薄膜每4min刻蚀后进行1minAr等离子体物理轰击方案,发现残余物得以去除.
- 戴丽萍王姝娅束平钟志亲王刚张国俊
- 关键词：钛酸锶钡反应离子刻蚀光电子能谱
- 在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法
- 本发明公开了一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，包括如下步骤：步骤1，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件；步骤2，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体上安装封装盖板...
- 岳帅旗杨宇张继帆束平徐洋
- 文献传递
- 一种在LTCC基板高平整表面上高精密微细线条的制作方法
- 本发明涉及一种在LTCC基板高平整表面上高精密微细线条的制作方法，包括以下过程：步骤1、将烧结后的多层LTCC电路基板表面磨平；步骤2、在磨平后的基板表面上制作导体图形；步骤3、对导体图形进行精密修饰，获得高精度微细线条...
- 杨宇岳帅旗束平徐洋黄翠英张刚
- 文献传递
- 多层共烧陶瓷 表层刻蚀工艺技术要求
- 本标准规定了多层共烧陶瓷表层刻蚀工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表层刻蚀工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于表层单层或多层电路采用薄膜工艺制备的多层共烧陶...
- 李彦睿王文博秦跃利王春富徐洋束平
- 基于梳齿间距MEMS工艺误差的微传感器电容与静电力分布模型被引量：1
- 2010年
- 在理论分析与模拟仿真基础上,提出了由于梳齿微细加工误差所引起的电容和静电力概率分布模型。该模型表明电容和静电力均为类高斯分布,它们在一定区段出现的可能性可根据其准期望和准方差确定,且该准期望与无加工误差情况相比均有小于5%的微小偏移;同时,该准方差依赖于梳齿数目和梳齿加工误差程度,当梳齿数目由10增大到60时,电容与静电力分布准方差分别增大约2倍和1倍,而当梳齿加工误差程度从5%增大到20%时,则分别增大约3.5倍和2.5倍。该模型可望为一大类梳齿结构微传感器或执行器性能偏差的理论研究和工艺实现提供参考。
- 戴强于奇束平杨洪东张国俊
- 关键词：微传感器
- 在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法
- 本发明公开了一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，包括如下步骤：步骤1，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件；步骤2，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体上安装封装盖板...
- 岳帅旗杨宇张继帆束平徐洋
- 文献传递
- LTCC基板砂轮划片工艺研究被引量：6
- 2014年
- 通过正交试验确认了导致LTCC(低温共烧陶瓷)基板砂轮划片背面崩边的主要因素,基于对各个主要因素的分析,优化了砂轮划片方案,有效地解决了背面崩边问题,获得了高质量的划片效果。
- 岳帅旗束平刘志辉
- 关键词：低温共烧陶瓷
- 高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究
- 2012年
- 为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。
- 王伟宾霍伟荣赵远远王姝娅束平张国俊
- 关键词：湿法刻蚀LDMOS刻蚀速率
- LTCC基板上焊球失效模式影响因素分析被引量：3
- 2018年
- 基于LTCC基板的BGA封装结构在高密度射频封装领域被受到特别关注。在对其板级集成互联可靠性研究的基础上,以焊球失效模式为切入点,从基板及导体材料、焊盘结构、焊接工艺等方面展开分析,探讨了LTCC基板焊球失效模式的影响因素以期改善焊球失效情况。
- 董东束平张刚王辉赵鸣霄
- 关键词：焊球失效模式可靠性LTCC
