您的位置： 专家智库 > >

沈文正

作品数：12 被引量：11H指数：2
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 3篇SOI
  • 3篇BICMOS
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电路
  • 2篇亚微米
  • 2篇载流子
  • 2篇深亚微米
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇热载流子
  • 2篇微米
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体器件
  • 2篇薄层
  • 2篇VLSI
  • 2篇MOS器件
  • 1篇氮化
  • 1篇导体
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压低功耗

机构

  • 12篇西安微电子技...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 12篇沈文正
  • 3篇黄敞
  • 2篇许忠义
  • 2篇赵文魁
  • 2篇林满院
  • 2篇刘文安
  • 2篇罗来华
  • 2篇吴传良
  • 2篇曹建民
  • 2篇孙有民
  • 1篇程彬杰
  • 1篇唐天同
  • 1篇刘新宇
  • 1篇张文俊
  • 1篇邵志标

传媒

  • 6篇微电子学与计...
  • 3篇Journa...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇航天工艺

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1996
  • 3篇1995
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
深亚微米FD-SOI器件亚阈模型被引量：1
2001年
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在此基础上 ,建立了亚阈漏电流模型 ,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性 ,模型计算结果与二维器件模拟软件
程彬杰邵志标唐天同沈文正赵文魁
关键词：MOS器件
TFSOI/CMOS ESD研究被引量：2
2000年
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
刘文安罗来华赵文魁沈文正
关键词：ESD栅控二极管CMOS保护电路
高速BiCMOS工艺研究
1995年
研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容Ｃ＿Ｌ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔ＿（ｐｄ）＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显优于ＣＭＯＳ门。
许忠义章定康沈文正
关键词：铋集成电路
一项值得重视的低压低功耗超高速集成电路技术——TFSOI技术被引量：1
1999年
本文详细地分析了薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ器件的特性并指出该器件的许多特性是其固有的。这些特性使得 Ｓ Ｏ Ｉ 技术对于高可靠、低压、低功耗、高速系统具有极大的吸引力。同时，该技术也适用于千兆位 Ｄ Ｒ Ａ Ｍ 、片上系统、以及抗辐射加固电路、微电子机械系统、模拟／ 混合信号电路、智能功率集成电路、便携式通讯系统、高温电子学和量子器件等。因此， Ｓ Ｏ Ｉ 技术可能成为２１
沈文正
关键词：SOIMOSFET特性分析
薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
1998年
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．
曹建民吴传良张文俊范辉沈文正黄敞
关键词：SOI器件半导体器件MOSFETVLSI
SOI LDD MOSFET 的栅电流的模拟
1998年
本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOIMOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程。LADES7可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟SOIMOSFET器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了LADES7软件模拟的部分结果，并着重讨论了热载流子效应产生的栅电流。
张文俊沈文正黄敞
关键词：热载流子效应SOIMOSFET
深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析被引量：4
1998年
本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样，是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献中，随着硅层减薄，沟道电场增大，热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应达到最小值，而且在这一硅层范围内，热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变化不敏感，这对高性能深亚微米薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ设计具有重要的指导意义．
曹建民吴传良沈文正黄敞
关键词：VLSI半导体器件
氮氧化物栅介质抗辐射性能研究
1996年
本文利用具有氮氧化物栅介质的ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ和ＣＭＯＳ集成电路研究氮氧化物栅的抗γ总剂量性能，结果表明氮氧化物多层栅介质有比纯ＳｉＯ２更好的抗辐射性能。
林满院沈文正孙有民刘勇
关键词：抗辐射性MOSFET
高速BiCMOS工艺研究
1995年
研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．
许忠义章定康沈文正
关键词：BICMOS双极晶体管
SOI横向双晶体管结构研究
1998年
本文首先概括地介绍了体硅、SOI纵向双极晶体管和横向双极晶体管的各自特点，并简要地阐述了SOI横向双极晶体管的发展；其次，对各种SOI横向双极晶体管的结构与性能进行了分析研究；最后，我们认为SOI横向双极晶体管是一种比较理想的双极器件，不失为SOI／BiCMOS的理想选择。
刘新宇沈文正
关键词：SOI双极晶体管晶体管BICMOS
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0