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潘东

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：新疆大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇导体
  • 3篇室温铁磁性
  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁性
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇高居里温度
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇半导体薄膜材...
  • 2篇沉积速率
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 1篇氮化
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇稀磁半导体薄...

机构

  • 4篇新疆大学

作者

  • 4篇潘东
  • 3篇李锦
  • 3篇简基康
  • 3篇孙言飞
  • 3篇吴荣
  • 2篇姜楠楠
  • 1篇任银拴
  • 1篇娄阳
  • 1篇任会会
  • 1篇蒋小康

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法
本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10<Sup>-5</Sup>Pa-10<Sup>-4</Sup>Pa，基片为n...
吴荣任银拴简基康潘东娄阳蒋小康李锦孙言飞任会会
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氮化铝基稀磁半导体薄膜的制备及性质研究
采用射频磁控溅射法成功制备了磁性元素Ni掺杂AlN稀磁半导体薄膜。Ni以替代的方式进入AlN晶格中,掺杂后的薄膜仍为六方纤锌矿结构。薄膜在5 K和室温下均具有铁磁性。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力随Ni掺杂量增加而降低。5 ...
潘东
关键词：射频磁控溅射稀磁半导体室温铁磁性
文献传递
一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射，系统的本底真空度为10<Sup>-4</Sup>Pa-10<Sup>-5</Sup>Pa，溅射过程中工作气体为高纯的...
吴荣潘东简基康姜楠楠李锦孙言飞
文献传递
一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法
本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Z...
吴荣姜楠楠简基康潘东李锦孙言飞
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