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潘东

作品数：28 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项北京市自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 7篇会议论文
  • 5篇期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电子电信
  • 3篇轻工技术与工...
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 23篇纳米
  • 17篇纳米线
  • 16篇半导体
  • 11篇导体
  • 8篇分子束
  • 8篇分子束外延
  • 8篇超导
  • 8篇超导体
  • 6篇衬底
  • 6篇催化
  • 5篇半导体纳米线
  • 5篇INAS
  • 4篇微纳加工
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇输运
  • 3篇网络
  • 3篇III-V族
  • 3篇催化剂
  • 2篇电子束曝光

机构

  • 28篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇北京量子信息...

作者

  • 28篇潘东
  • 28篇赵建华
  • 3篇王海龙
  • 3篇鲁军
  • 2篇刘磊
  • 2篇朱礼军
  • 1篇李晋闽
  • 1篇伊晓燕
  • 1篇杨涛
  • 1篇聂帅华
  • 1篇李利霞
  • 1篇张逸韵

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2013
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
漫谈半导体材料及异质结器件被引量：4
2018年
半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角落。文章简要回顾了半导体的研究历史,介绍了半导体材料与相关应用,阐述了半导体异质结器件的工作原理,并展示了半导体自旋电子学及低维窄禁带半导体纳米结构的研究现状与发展前景。
王海龙潘东潘东
关键词：半导体异质结晶体管半导体自旋电子学低维纳米结构
从高质量半导体/超导体纳米线到马约拉纳零能模被引量：1
2021年
作为马约拉纳费米子的“凝聚态版本”,马约拉纳零能模是当前凝聚态物理领域的研究热点.马约拉纳零能模满足非阿贝尔统计,可以构建受拓扑保护的量子比特.这种由空间上分离的马约拉纳零能模构建的拓扑量子比特不易受局域噪声的干扰,具有长的退相干时间,在容错量子计算中具有重要的应用前景.半导体/超导体纳米线是研究马约拉纳零能模和拓扑量子计算的理想实验平台.本文综述了高质量半导体纳米线外延生长、半导体/超导体异质结制备以及相应的马约拉纳零能模研究方面的进展,并对半导体/超导体纳米线在量子计算中的应用前景进行了展望.
文炼均潘东赵建华
关键词：量子计算
硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法
一种硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法，制备方法包括：解理商用硅晶圆获取具有新鲜解理面的硅衬底；将具有新鲜解理面的硅衬底转移到生长腔室中；设定生长条件，包括：GaSb纳米线的生长温度以及Ga源和Sb源的量；等待生长条...
潘东文炼均赵建华
文献传递
基于InAs纳米线的纳米电子器件研究
InAs 材料有很高的电子迁移率和小的有效质量，在高频器件、红外探测等多个领域都有广泛的应用前景。基于InAs 纳米线的器件在一些方面具有优于现有硅器件的性能，受到人们的关注。本文系统研究了基于单根InAs 纳米线的电子...
陈清付梦琦史团伟王小耶杨涛潘东赵建华
关键词：纳米线INAS
半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法
本公开实施例提供一种半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法，包括：提供一特定晶向的衬底，基于特定晶向对半导体纳米线生长方向的限定，在特定晶向的衬底上生长形成半导体纳米线交叉结构；在半导体纳米线交叉结构侧壁外延半导体...
潘东廖敦渊钟青赵建华
立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法
一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗...
潘东赵建华
文献传递
一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法
一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(1...
潘东刘磊赵建华
文献传递
立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法
一种立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III-V族半导体纳米线，该金属催化剂颗...
潘东赵建华
文献传递
一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法
本公开提供了一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法，包括：在单晶硅衬底上生长SiO<Sub>x</Sub>非晶薄膜或Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>非晶薄膜；其中，SiO<Sub>x</S...
文炼均潘东赵建华
分子束外延制备大组分可调GaAs1-xSbx/InAs核壳异质结纳米线
隧穿场效应晶体管(TFET)具有超陡亚阈斜率(室温下SS < 60 mV/dec)，可实现超低功耗电路，是下一代集成电路最具竞争力的备选器件之一.TFET 的工作原理是基于高掺杂的源极与本征沟道之间的带-带隧穿电流机制....
廖敦渊潘东李利霞文炼均赵建华
关键词：分子束外延
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