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王天兴

作品数:51 被引量:91H指数:6
供职机构:河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 10篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 24篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 4篇文化科学
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇存储器
  • 9篇隧道结
  • 9篇自旋
  • 9篇纳米
  • 9篇磁性隧道结
  • 7篇溅射
  • 7篇磁性
  • 6篇随机存取
  • 6篇随机存取存储...
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 6篇存取
  • 5篇随机存储器
  • 5篇自旋阀
  • 5篇掺杂
  • 4篇第一性原理
  • 4篇电致变色
  • 4篇电阻
  • 4篇铁磁
  • 4篇纳米管

机构

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  • 17篇中国科学院
  • 17篇河南省光伏材...
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  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇河南城建学院
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  • 1篇新乡学院
  • 1篇华北电力大学
  • 1篇新乡职业技术...

作者

  • 51篇王天兴
  • 18篇宋桂林
  • 17篇常方高
  • 16篇杨海刚
  • 15篇韩秀峰
  • 10篇曾中明
  • 9篇魏红祥
  • 6篇李飞飞
  • 5篇杜关祥
  • 4篇彭子龙
  • 4篇夏存军
  • 4篇李苗苗
  • 3篇周晓辉
  • 3篇李超
  • 3篇马淑红
  • 3篇丰家峰
  • 3篇詹文山
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传媒

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  • 5篇物理学报
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  • 1篇大学物理实验
  • 1篇第十一届中国...
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年份

  • 1篇2024
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 12篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Al,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算被引量:4
2011年
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO.掺杂后ZnO)的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO.
王天兴李苗苗宋桂林常方高
关键词:ZNON型掺杂密度泛函光学特性
球状PbS纳米颗粒的室温合成与性能表征被引量:1
2016年
以醋酸铅为铅源,硫代乙酰胺为硫源,在表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)共同作用下,在常温下合成了Pb S纳米晶,利用XRD、紫外分光度计、SEM、TEM对合成产物的结构和形貌以及光学特性进行了表征分析,结果表明,合成的Pb S为尺寸均匀的球形纳米晶,对合成的Pb S纳米晶的形成机理进行了初探。当反应温度较低时,形成的Pb S小颗粒在表面活性剂SDS的烷基链模板和CTAB微胶束软模板共同作用下生成球状Pb S纳米晶。
王天兴陈四香刘海瑞
关键词:硫化铅CTAB
一种用于制备安德鲁反射样品的新方法(英文)
2006年
提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用.对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运.所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释.利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析.而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.
王天兴魏红祥任聪韩秀峰Clifford ELangford R MBari M ACoey J M D
关键词:自旋极化
一种碳纳米管磁随机存取存储器
本发明公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器,该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ),MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄...
魏红祥曾中明王天兴赵素芬彭子龙韩秀峰
文献传递
坐标轴正方向选取对力学问题求解的影响被引量:4
2014年
在求解理论力学质点动力学问题时,因坐标系正方向的选取常常给学生带来许多困惑.通过两道典型习题,详细分析学生错解的原因,应用不同的符号法则给出正确的求解过程,对比总结出坐标系建立的一般方法及解题中关键问题.帮助学生澄清疑惑,提高规范严谨的解题能力.
马淑红王天兴焦照勇
关键词:自然坐标系曲率半径
用于电流过载保护器的开关型磁场传感器
本发明公开了一种用于电流过载保护器的开关型磁场传感器,包括:片基、两个自旋阀元件、电压或电阻比较器和固定电导体;两个自旋阀元件形成于片基上;固定电导体覆盖在自旋阀元件上,固定电导体与自旋阀元件之间设置有绝缘层;电压或电阻...
王磊方以坤王天兴韩秀峰
文献传递
一种碳纳米管磁随机存取存储器
本发明公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器,该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ),MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄...
魏红祥曾中明王天兴赵素芬彭子龙韩秀峰
文献传递
溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响被引量:4
2011年
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm.
王天兴夏存军李超李苗苗杨海刚宋桂林常方高
关键词:直流磁控溅射溅射功率表面形貌
科研与实验教学相结合的探索与实践被引量:4
2011年
大学物理实验课程包括基础性实验、综合性实验、设计性实验等从低到高、从基础到前沿、从传授知识到能力培养的完整教学体系,在培养学生科研素质与能力等方面有着其他课程教学不可替代的作用。本文探索教学与科研的结合,更好地培养学生的实践能力、创新能力以及科学研究的思想与方法。
杨海刚王天兴宋桂林
关键词:大学物理实验实验教学
可用于电流过载保护器的开关型磁场传感器
本发明公开了一种可用于电流过载保护器的开关型磁场传感器,包括:片基、两个自旋阀元件、电压或电阻比较器和固定电导体;两个自旋阀元件形成于片基上;固定电导体覆盖在自旋阀元件上,固定电导体与自旋阀元件之间设置有绝缘层;电压或电...
王磊方以坤王天兴韩秀峰
文献传递
共6页<123456>
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