王小丽
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市科技创新专项资金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 功率型氮化镓基发光二极管芯片
- 本实用新型属于半导体芯片结构技术领域，涉及一种功率型氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、依次制作在其正面的N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层，其特征在于，所述蓝宝石衬底的背面刻有削顶的周期性三角倒金字塔微结构；P型...
- 牛萍娟李艳玲李晓云刘宏伟王小丽
- 文献传递
- RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
- 2007年
- RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟。模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计。
- 王小丽牛萍娟刘宏伟郭维廉毛陆虹杨广华
- 关键词：环形振荡器PSPICE软件
- GaAs基AlGaInP LED的研究和进展被引量：5
- 2008年
- 探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInP LED器件结构,最后探讨了AlGaInP LED在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战。
- 战瑛牛萍娟李晓云王小丽彭晓磊
- 关键词：ALGAINP发光二极管外量子效率
- The Study of High-brightness and High-power InGaAlP Double -sides Red LED
- In this paper, it is reported that the material structure design and device fabrication of high-brightness and...
- 王小丽牛萍娟郭维廉罗慧英李晓云刘宏伟杨广华高铁成于欣
- 关键词：LEDINGAALP
- 双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制
- 2008年
- 报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。
- 于欣牛萍娟郭维廉杨广华高铁成刘宏伟王小丽张世林梁惠来齐海涛毛陆虹
- 关键词：湿法腐蚀磁控溅射欧姆接触合金负阻电子转移
- 高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制被引量：1
- 2008年
- 报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16.4nm,光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0.6943,y=0.3056,显色指数为18.4。因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。
- 王小丽牛萍娟李晓云于莉媛杨广华刘宏伟高铁成罗惠英战瑛于欣
- 关键词：湿法腐蚀
