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离子注入金刚石薄膜的微结构与光电性能研究: 对金刚石发光性能的研究是制备单光子发射器的基础。本文采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备微晶或纳米晶金刚石薄膜，并注入不同剂量的离子（氧离子、硅离子或硅氧离子）。系统研究了离子注入剂量和退火温度对薄膜微结构和光电性能...; 王峰浩; 关键词：金刚石薄膜离子注入光电性能 RAMAN光谱; 文献传递

氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究被引量：2: 2013年; 本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响.结果表明,氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度.当氧离子注入剂量从1014cm2增加到1015cm2时,薄膜中Si-V发光强度增强.Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低.不同温度退火时,氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时,薄膜的面电阻率增加,说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能.Raman光谱测试结果表明,薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度,而降低薄膜的导电性能.; 王峰浩胡晓君; 关键词：金刚石薄膜电学性能

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王峰浩