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王志杰

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇INGAAS...
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇MQW
  • 1篇低阈值
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇压应变
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇激光器特性
  • 1篇光放大
  • 1篇光放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇DFB激光器
  • 1篇MOCVD

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇国家光电子工...

作者

  • 3篇王志杰
  • 3篇王圩
  • 2篇陈博
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇马朝华
  • 2篇王启明
  • 2篇张济志
  • 2篇金才政
  • 2篇周帆
  • 1篇王启明
  • 1篇王玉田

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性被引量：1
1997年
本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆金才政马朝华王启明
关键词：半导体多量子阱结构
应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成被引量：4
1998年
本文在国内首先报道采用ＭＯＶＰＥ技术研制成功了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿型量子阱ＤＦＢ激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了３０ｍＷ单纵模工作．采用调制光放大器、静态偏置ＤＦＢ激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲．集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路．
王志杰王圩王启明
关键词：DFB激光器光放大器
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
1997年
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词：低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
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