王若桢
- 作品数：34 被引量：47H指数：4
- 供职机构：北京师范大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院院长基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响被引量：4
- 1998年
- 在有效质量近似下，采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R比较大的材料制备的量子点，其形状带来的影响是显著的．
- 罗莹王若桢马本堃
- 关键词：量子点半导体
- 介电受限对量子点中受限激子的影响被引量：3
- 1999年
- 在有效质量近似下，采用有限深势阱模型研究了强受限范围内，介电受限对球形、立方形半导体量子点中受限激子的影响．结果表明在考虑表面极化效应以后，量子点的形状对受限激子的影响是不可忽略的．
- 罗莹王若桢
- 关键词：量子点半导体
- 非共振区纳米晶体的电光性能
- 采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体纳米晶体,利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下,在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应,即光学常数...
- 王引书孙平王若桢
- 文献传递
- LiNbO3:Fe3+晶体中Fe3+离子的电调制光谱
- 近十几年来电吸收谱方法被广泛用于半导体超晶格、量子阱、量子点等微结构的电子态研究中,并以其高灵敏和
- 颜其礼王引书孙平黄平王若桢
- 文献传递
- GaAs/AlGaAs量子阱空间差分光调制反射光谱研究被引量：1
- 2000年
- 本文报道了空间差分光调制反射光谱 ,指出了它与常规光调制反射谱的区别。与常规光调制反射光谱相比较 ,它具有更好的信噪比和灵敏度。利用该光谱方法对 Ga As/ Al Ga As量子阱的实验测量结果表明 ,空间差分光调制反射光谱具有丰富的光谱结构。
- 代作晓赵明山陆书龙李国华杨秀芹王若桢
- 关键词：GAAS/ALGAAS差分
- 极化子效应对量子线中Stark效应的影响
- 1996年
- 采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正．
- 常凯王若桢马本
- 关键词：STARK效应量子线半导体极化子效应
- 半导体量子点的形状对受限激子的影响被引量：6
- 1999年
- 在有效质量近似范围内，采用有限深势阱模型，考虑介电受限、计入表面极化效应的情况下，研究了球形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．
- 罗莹王若桢
- 关键词：半导体
- Bloch振荡研究进展
- 1994年
- Ｂｌｏｃｈ振荡研究进展北京师范大学物理系王若桢当讨论晶体中电子在恒定外电场中的运动问题时，我们把能带中的电子近似看作有效质量为ｍ的经典粒子处理，从而得到等式其中，Ｆ为电场力，Ｆ＝－ｑＥ（Ｅ为电场强度）．上式表示电子在ｋ空间作匀速运动，这就意味着电子的...
- 王若桢
- 关键词：晶体超晶格BLOCH振荡
- 玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱被引量：5
- 2003年
- 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。
- 王引书郑东孙萍王一红刘惠民桑丽华王若桢
- 关键词：纳米晶体室温光致发光谱
- 高温超导材料YBa_2Cu_3O_(7-δ)在可见光区的电场调制光反射光谱
- 1989年
- 本文报道了用调制光谱手段对YBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物所进行的光学测量和研究。从对可见光区调制光谱结构的分析和讨论表明调制光谱可以用于研究超导体化合物的电子态结构。从而提出了又一种研究高温超导材料光学特性的新的测试手段。
- 汪辉王若桢
- 关键词：超导材料
