2025年3月12日
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米俊萍
作品数:
16
被引量:0
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
潘教青
中国科学院半导体研究所
周旭亮
中国科学院半导体研究所
于红艳
中国科学院半导体研究所
李梦珂
中国科学院半导体研究所
李士颜
中国科学院半导体研究所
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机构
16篇
中国科学院
作者
16篇
潘教青
16篇
米俊萍
14篇
于红艳
14篇
周旭亮
12篇
李士颜
12篇
李梦珂
4篇
王圩
2篇
于鸿艳
2篇
王宝军
2篇
边静
2篇
丁颖
2篇
王火雷
年份
5篇
2016
3篇
2015
1篇
2014
7篇
2013
共
16
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜
周旭亮
于鸿艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
文献传递
分布反馈式激光器及其制备方法
本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括:N型GaAs衬底;以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中,P型AlGa...
王火雷
米俊萍
于红艳
丁颖
王宝军
边静
王圩
潘教青
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ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂
周旭亮
于红艳
李士颜
米俊萍
潘教青
文献传递
高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成...
周旭亮
于红艳
米俊萍
潘教青
王圩
文献传递
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件,所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层,生长GaInP作为缓冲层,在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HE...
米俊萍
周旭亮
于红艳
李梦珂
李士颜
潘教青
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
一种低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成样品;...
周旭亮
于红艳
米俊萍
潘教青
王圩
文献传递
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜
周旭亮
于鸿艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
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在硅上集成HEMT器件的方法
一种在硅上集成HEMT器件的方法,包括以下步骤:步骤1:采用UHVCVD方法,在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理;步骤3:采用低压MOCVD的方法,在锗层上外延生长掺铁的半绝...
米俊萍
周旭亮
于红艳
李梦珂
李士颜
潘教青
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NMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种制备NMOS器件的方法和相应的NMOS器件,所述包括:步骤S1、选择<100>向<111>方向偏离6°~10°的硅衬底,并在此硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2...
李梦珂
周旭亮
于红艳
李士颜
米俊萍
潘教青
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在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法
一种在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<Sub>2</Sub>、HF和去离子水...
李士颜
周旭亮
于红艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
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