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罗庇荣

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院化学研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 5篇气相沉积
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 3篇加氢
  • 3篇加氢反应
  • 2篇单晶
  • 2篇碳源
  • 2篇碳源浓度
  • 2篇铜基
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇氢气
  • 2篇六角形
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇还原性气氛
  • 2篇半导体

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇罗庇荣
  • 7篇于贵
  • 6篇耿德超
  • 4篇刘云圻
  • 4篇徐洁
  • 4篇武斌
  • 2篇陈建毅
  • 2篇薛运周
  • 2篇刘洪涛
  • 2篇黄丽平
  • 2篇郭云龙
  • 2篇王华平

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法
本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学...
刘云圻陈建毅黄丽平薛运周耿德超罗庇荣武斌郭云龙于贵
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二氧化碳活化加氢反应制备石墨烯
石墨烯具有独特的电学、热学和力学性能，加之其柔性和透明等特点，在很多领域都有着广阔的应用前景。如何低成本、高效制备石墨烯是石墨烯应用的前提。目前CVD法制备石墨烯需要以甲烷等可燃性气体作为碳源。我们通过研究发现采用镍基催...
罗庇荣于贵
关键词：CVD二氧化碳石墨烯
一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法
本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学...
刘云圻陈建毅黄丽平薛运周耿德超罗庇荣武斌郭云龙于贵
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一种制备石墨烯的方法
本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，利用催化剂活化二氧化碳的性质，然后再通过加氢反应在铜基底上生长石墨烯。通过控制二氧化碳的流量来改变碳源浓度从而达到形貌演变的效果。本发明公开的方法，与传...
于贵罗庇荣徐洁刘洪涛耿德超武斌刘云圻
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一种可控制备石墨烯的方法
本发明提供一种可控制备石墨烯的方法。该方法包括：将金属催化剂置于反应器中，在还原性气氛中于常压下加热使所述金属催化剂升温至1000～1050℃，并保温10-40分钟；维持所述金属催化剂的温度不变，将所述反应器密封并抽成真...
于贵罗庇荣耿德超徐洁王华平
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一种可控制备石墨烯的方法
本发明提供一种可控制备石墨烯的方法。该方法包括：将金属催化剂置于反应器中，在还原性气氛中于常压下加热使所述金属催化剂升温至1000～1050℃，并保温10-40分钟；维持所述金属催化剂的温度不变，将所述反应器密封并抽成真...
于贵罗庇荣耿德超徐洁王华平
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一种制备石墨烯的方法
本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，利用催化剂活化二氧化碳的性质，然后再通过加氢反应在铜基底上生长石墨烯。通过控制二氧化碳的流量来改变碳源浓度从而达到形貌演变的效果。本发明公开的方法，与传...
于贵罗庇荣徐洁刘洪涛耿德超武斌刘云圻
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