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翁心桥

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：福州大学电子科学与应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省重点科技计划项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频
  • 1篇射频MEMS...
  • 1篇射频开关
  • 1篇开关
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇共平面波导
  • 1篇PECVD
  • 1篇AL
  • 1篇AU
  • 1篇MEMS开关

机构

  • 2篇福州大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 2篇于映
  • 2篇翁心桥
  • 2篇罗仲梓
  • 1篇赵晨

传媒

  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究被引量：1
2005年
本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.
于映赵晨罗仲梓翁心桥
接触式串联射频MEMS开关的工艺研究被引量：5
2004年
本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关 ,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构 ,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜 ,溅射Au制作共平面波导 ,聚酰亚胺作为牺牲层 ,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层。研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺 ,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响。
于映罗仲梓翁心桥
关键词：共平面波导刻蚀工艺射频开关MEMS开关PECVD
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共1页<1>
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