肖盈
- 作品数：15 被引量：8H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究被引量：1
- 2011年
- 为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出了发射极非均匀指间距技术.通过热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的功率HBT进行热稳定性分析,得到了多发射极指上的温度分布.结果表明,多发射极HBT在采用非均匀发射极指间距技术后,峰值温度明显下降,温度变化幅度更加平缓,有效地提高了器件的热稳定性.
- 陈亮张万荣金冬月谢红云肖盈王任卿丁春宝
- 关键词：异质结双极晶体管发射极非均匀功率
- 用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究
- 2011年
- 通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,得到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便是器件温度均匀分布所要求的指间距值。用该方法得到热阻分布与热模拟得到的温度分布相吻合。但这种方法不必通过热模拟来得到温度分布均匀的SiGe HBT各指问距值,具有快速、直观的优点,为变指间距的设计提供了方便。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿丁春宝
- 关键词：SIGEHBT热阻
- 高热稳定性功率异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间...
- 金冬月张万荣谢红云陈亮胡宁肖盈王任卿
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT研究进展
- 2006年
- Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。
- 张万荣张蔚金冬月谢红云肖盈王扬李佳沈佩
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管微波功率器件
- 新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1
- 2010年
- 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.
- 沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈
- 关键词：低噪声放大器超宽带电流增益
- 高热稳定性功率异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间...
- 金冬月张万荣谢红云陈亮胡宁肖盈王任卿
- 文献传递
- 能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
- 2011年
- 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性。研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGeHBT内部产生了热电负反馈效应的结果。在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小。这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云
- 关键词：SIGEHBT镇流电阻
- 发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析
- 2011年
- 为了增强多发射极指S iGe HBT的热稳定性,提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构.使用有限元方法对新型结构的S iGe HBT进行热分析,得到了发射极指上的三维温度分布.结果表明,与传统的完整结构及发射极指分段和均匀指间距组合的结构相比,新型结构明显降低了最高结温,温度分布更加均匀,使有源区整体热流分布更加均匀合理,有效地提高了器件的热稳定性.
- 陈亮张万荣金冬月谢红云胡宁肖盈王扬
- 关键词：异质结双极晶体管热模拟
- 多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
- 2006年
- 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
- 张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
- 功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
- 2006年
- 测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下，在输出特性曲线上观察到了负微分电阻（NDR）特性。结果还显示，电流增益-Early电压积与温度的倒数（1／T）呈线性关系，这对模拟电路应用是很重要和有用的。
- 张万荣王扬金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管温度特性
