苏晶
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响
- 2013年
- 用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。
- 苏晶莫昌文刘玉荣
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管
- ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展被引量：5
- 2013年
- 氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO-TFT器件性能。通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用。文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍。
- 苏晶刘玉荣莫昌文简平李晓明
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管有源层
- 氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性被引量：1
- 2013年
- 为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性;随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小;漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.
- 王聪刘玉荣李星活苏晶姚若河
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌光诱导稳定性
- 层叠式PVDF薄膜超声换能器及其频谱特性被引量：1
- 2013年
- 提出了一种利用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜层叠的组合结构方案设计超声换能器,用以解决柔性薄膜超声换能器输入/输出信号增益低的问题;并通过理论推导及数学软件仿真给出了该结构换能器的幅频特性。利用仿真结果可估算出层叠式结构超声探头的增益、谐振频率和通频带与PVDF薄膜厚度及薄膜层数之间的对应关系。这对于缩短高频超声探头的设计周期,降低开发成本,提高探头转换增益及检测灵敏度都具有重要意义。
- 简平刘玉荣姚若河苏晶
- 关键词：幅频特性超声换能器
- 有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响被引量：3
- 2013年
- 为优化氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的工艺参数,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜制备出不同有源层厚度的ZnO-TFT器件,探讨了有源层厚度对ZnO-TFT电学性能的影响.实验结果表明:有源层厚度在65nm附近时,ZnO-TFT器件的性能最好;有源层太薄时,ZnO薄膜的结晶性差,薄膜内部存在大量孔洞和缺陷,从而导致ZnO-TFT器件的载流子迁移率较低,开关电流比较小;有源层太厚(大于65 nm)时,ZnO-TFT的载流子迁移率和开关电流比随有源层厚度的增加而减小,这是因为随着有源层厚度的增加,载流子在源、漏电极附近高电阻区的导电路径增加.
- 刘玉荣李晓明苏晶
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌有源层厚度电学性能
- 氧化锌薄膜晶体管的制备及其稳定性研究
- 有源矩阵液晶显示器（AMLCD）和有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）是新型显示技术的主流，而薄膜晶体管（TFT）是有源矩阵显示驱动电路的核心器件。近些年，以ZnO-TFT为代表的氧化物TFT因具有相对高的迁移率...
- 苏晶
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌稳定性
- 曲面超声换能器近声场指向性研究被引量：1
- 2014年
- 通过结合物理声学原理推导出曲面结构及其等效动态相控阵列超声换能器所形成的近声场分布,并利用数学软件对超声近场声压进行近似数值仿真。通过分析比较各声场指向性的仿真结果表明,在给定的工作频率和介质条件下,对比于平面结构,二维半圆球壳的曲面压电晶片或等效相控阵元阵列结构的超声换能器在近声场可实现高强度聚焦,同时近声场焦点处的横向/纵向分辨率都达到最佳,旁瓣/栅瓣抑制也达到最大。最后给出了在曲面阵列优化设计方面一些有价值的规律。
- 简平苏晶刘玉荣姚若河
- 关键词：纵向分辨率
