邓叶
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ZnO/GaN直接键合工艺的研究
- 半导体键合技术可以将晶格失配的不同特性材料通过接触面间的分子力或键合化学力键合在一起，构成具有特殊功能结构。该技术涉及力学、电学、化学、光学的理论与实践，是制备光电器件和MEMS器件的基础与核心技术之一。将宽禁带n-Zn...
- 邓叶
- 关键词：发光二极管氧化锌氮化镓
- 一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...
- 朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会
- 文献传递
- 不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量：4
- 2013年
- 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。
- 曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨
- 关键词：发光二极管(LED)光效
- 一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...
- 朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会
- Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量：1
- 2014年
- 为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES)研究了欧姆接触的微观结构,比较了不同的金属电极的反射特性。结果表明,Ag(50nm)/Au(100nm)和n-ZnO薄膜的欧姆接触在退火温度为500℃时最好,欧姆接触电阻率仅为5.2×10-4Ω·cm-2,且其反射特性比其它金属电极好。
- 邓叶王晓东朱彦旭曹伟伟刘飞飞杜志娟于宁
- 关键词：AGAU欧姆接触
- ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量：1
- 2013年
- 在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。
- 朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋
- 关键词：氮化镓
- GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响被引量：2
- 2014年
- 本文制备了AlGaN/GaN HEMT器件中常规结构与带有纵向接触孔结构的两种接触电极,研究了该两种源欧姆接触模式对器件电学特性的影响.在相同条件下进行快速退火,发现在750?C下退火30 s后,常规结构还没有形成欧姆接触,而带有纵向欧姆接触孔的接触电极与外延片已经形成了良好的欧姆接触.同时,比较了Ti/Al/Ti/Au和Ti/Al/Ni/Au电极退火后表面形态,Ti/Al/Ni/Au具有更好的表面形貌.通过测试两种结构的HEMT器件后,发现采用纵向欧姆接触孔结构器件具有更高的跨导和饱和电流,但是也会在栅极电压为0.5—2 V之间产生严重的电流崩塌现象.
- 朱彦旭曹伟伟徐晨邓叶邹德恕
- 关键词：ALGANGAN欧姆接触
- 基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器
- 本发明用于半导体光电子领域，涉及一种基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器。本探测器包括：处于最下方的具有HEMT器件结构的半导体层；在HEMT栅电极位置处沉积一层光感应层；沉积在光感应层上的一层金属电极层；在栅电极两侧...
- 朱彦旭于宁刘飞飞郭伟玲杜志娟邓叶王岳华
- 文献传递
