郝报田
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 一种基于延时和带宽约束的纳米级互连线优化模型被引量：1
- 2010年
- 基于RLC互连线延时模型,通过缓冲器插入和改变互连线宽及线间距,提出了一种基于延时和带宽约束的互连功耗-缓冲器面积的乘积优化模型.基于90nm,65nm和45nm CMOS工艺验证了互连线优化模型,在牺牲1/3和1/2的带宽的前提下,平均能够节省46%和61%的互连功耗,以及65%和83%的缓冲器面积,能应用于纳米级SOC的计算机辅助设计.
- 朱樟明郝报田李儒杨银堂
- 关键词：延时带宽
- 一种考虑温度的分布式互连线功耗模型被引量：4
- 2009年
- 基于集总式电阻-电容树形功耗模型,考虑了非均匀温度分布对互连线电阻的影响,提出了一种新的分布式互连线动态功耗解析模型,解决了集总式模型不能表征非均匀温度变化带来的电阻变化的问题,并计算了一次非理想的激励冲激下整个互连模型消耗的总能量.基于所提出的分布式互连线功耗模型,计算了纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺典型长度互连线的Elmore延时和功耗,发现非均匀温度分布对互连功耗的影响随着互连线长度的增加而增加,单位长度功耗随着CMOS工艺特征尺寸的变化而基本不变.文中所提出的功耗模型可以用来精确估算互连线动态功耗,适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.
- 朱樟明钟波郝报田杨银堂
- 关键词：互连线温度梯度
- 考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型被引量：3
- 2009年
- 提出了同时考虑通孔效应和边缘传热效应的互连线温度分布模型,获得了适用于单层互连线和多层互连线温度分布的解析模型,并基于65nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺参数计算了不同长度单层互连线和多层互连线的温度分布.对于单层互连线,考虑通孔效应后中低层互连线的温升非常低,而全局互连线几乎不受通孔效应的影响,温升仍然很高.对于多层互连线,最上层互连线的温升最高,温升和互连介质层厚度近似成正比,而且互连介质材料热导率越低,温升越高.所提出的互连线温度分布模型,能应用于纳米级CMOS计算机辅助设计.
- 朱樟明郝报田钱利波钟波杨银堂
- 基于多目标约束的纳米级互连线优化模型研究
- 随着片上系统/(SOC/)和片上网络/(NOC/)的持续发展,ULSI频率和规模不断上升,单个芯片上集成的功能模块也越来越多。这一趋势直接导致芯片尺寸不断增大,同时也迫使设计者使用更多的互连线来传播信号。由于设计者通常通...
- 郝报田
- 关键词：纳米级CMOS功耗
- 文献传递
