陈佰军
- 作品数：22 被引量：12H指数：2
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- In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长
- 1993年
- 本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.
- 祝进田杨树人陈佰军胡礼中王本中刘宝林王志杰刘式墉
- LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响被引量：3
- 1993年
- 众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是,
- 刘宝林杨树人陈佰军王本忠刘式墉
- 关键词：化学汽相沉积
- 多层周期结构有机物薄膜制备及其发光特性研究
- 陈佰军吴英
- 关键词：发光特性电致发光器件显示器件
- LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究被引量：3
- 1994年
- 本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。
- 刘宝林杨树人陈佰军王本忠刘式墉
- 关键词：化学汽相沉积
- 多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性
- 1997年
- 利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．
- 陈佰军侯晶莹黄劲松苏士昌刘式墉
- 关键词：多层结构光致发光有机半导体
- 聚乙烯基咔唑(PVK)薄膜中电子迁移率的测定
- 陈佰军张铁桥
- 关键词：电子迁移率
- LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
- 1995年
- 首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽为１．８ｎｍ。
- 刘宝林杨树人陈佰军刘式墉
- 关键词：半导体
- 有机异质结蓝绿光发光二极管
- 机／聚合物材料制备的发光二极管（ＬＥＤ）是近年来出现的新型的电致发光器件。已有多种有机／聚合物材料用来制备ＬＥＤ，实现了红、黄、绿、蓝等颜色的显示覆盖整个可见光区。研究人员将报道利用多源型高真空有机分子沉积系统制备由酚羟...
- 陈佰军王悦
- 关键词：发光二极管电致发光器件
- 多层周期结构有机物薄膜制备及其发光特性研究
- 1998年
- 利用高真空多源型有机分子沉积系统制备了同８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）和叔丁基联苯基苯基呃二唑（ＰＢＤ）交替生长的有机多层周期结构，小角Ｘ－射线衍射分析表明，样品具有良好的、完整的结构特性，并且界面质量很好．光致发光测量中发现，对于由以上两种材料制备的周期结构，激发态能量发生了从ＰＢＤ层向Ａｌｑ３中转移的现象，并且随着ＰＢＤ层厚度的变薄，这种能量转移现象更加明显．电致发光测量中发现谱线在室温下有蓝移及窄化现象．
- 陈佰军侯晶莹黄劲松谢志元李传南姜宏锦杨开霞刘式墉吴英田文晶马於光沈家骢
- 关键词：光致发光电致发光
- 有机/聚合物电致发光器件研究
- 陈佰军
- 关键词：半导体材料
