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陈燕玲

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 2篇第三电极
  • 2篇电极
  • 2篇动态随机存储...
  • 2篇三电极
  • 2篇闪存
  • 2篇势垒
  • 2篇随机存储器
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇自组织量子点
  • 2篇晶体管
  • 2篇间隔层
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 2篇充电
  • 2篇充电状态

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇李越强
  • 4篇杨富华
  • 4篇陈燕玲
  • 4篇刘雯
  • 4篇王晓东
  • 2篇徐晓娜

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实...
李越强王晓东徐晓娜刘雯陈燕玲杨富华
文献传递
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上...
李越强刘雯王晓东陈燕玲杨富华
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上...
李越强刘雯王晓东陈燕玲杨富华
文献传递
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实...
李越强王晓东徐晓娜刘雯陈燕玲杨富华
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