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韩笑

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：湖南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低电压
  • 1篇电压
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇晶体管
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 1篇湖南大学

作者

  • 1篇韩笑
  • 1篇张耕铭
  • 1篇赵孔胜
  • 1篇轩瑞杰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于氧化铟锡的无结低电压薄膜晶体管被引量：1
2012年
在室温下制备了基于氧化铟锡(ITO)的底栅结构无结薄膜晶体管.源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料,没有形成传统的源极结和漏极结,因而极大的简化了制备流程,降低了工艺成本.使用具有大电容的双电荷层SiO_2作为栅介质,发现当ITO沟道层的厚度降到约20 nm时,器件的栅极电压可以很好的调控源漏电流.这些无结薄膜晶体管具有良好的器件性能:低工作电压(1.5 V),小亚阈值摆幅(0.13 V/dec)、高迁移率(21.56 cm^2/V·s)和大开关电流比(1.3×10~6).这些器件即使直接在大气环境中放置4个月,器件性能也没有明显恶化:亚阈值摆幅保持为0.13V/dec,迁移率略微下降至18.99 cm^2/V·s,开关电流比依然大于10~6.这种工作电压低、工艺简单、性能稳定的无结低电压薄膜晶体管非常有希望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.
赵孔胜轩瑞杰韩笑张耕铭
关键词：薄膜晶体管低电压氧化铟锡
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