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马小龙

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇寄生参数
  • 3篇沟道
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇电路
  • 2篇中段
  • 2篇同步光纤网
  • 2篇同步数字体系
  • 2篇牺牲层
  • 2篇接收端
  • 2篇晶格
  • 2篇绝缘结构
  • 2篇开销
  • 2篇开销字节
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路器件
  • 2篇光纤

机构

  • 9篇华为技术有限...

作者

  • 9篇马小龙
  • 4篇张日清
  • 2篇胡端刚
  • 2篇陈可加
  • 2篇廖志权
  • 1篇曾理
  • 1篇陈华彬
  • 1篇张帆
  • 1篇刘明国
  • 1篇周永杰
  • 1篇夏禹

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种监控和管理同步数字体系/同步光纤网的方法
本发明涉及一种通过在同步数字体系/同步光纤网开销中的任意位置提取或插入开销字节，而灵活监控和管理同步数字体系/同步光纤网方法。包括的步骤有：在发送端，在信号的段开销的任意位置下插开销字节；在接收端把发送端下插到段开销中的...
陈可加胡端刚马小龙廖志权
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一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。该方法包括：在半导体衬底上形成具有超晶格特征的支撑结构，该支撑结构包括交替设置的第一半导体材...
马小龙张日清斯蒂芬.巴德尔
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一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管，其特征在于，包括源极和漏极，所述源极与所述漏极之间的沟道上设置有栅极，所述...
马小龙张日清斯蒂芬·巴德尔
场效应晶体管及其制造方法
一种场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括：源极(13)、漏极(14)和栅极(12)；源极(13)和漏极(14)之间设置有沟道区域(11)；栅极(12)和源极(13)以及栅极(12)和漏极(14)之间设置有内隔离层...
詹瞻刘燕翔马小龙
具有固定分频关系的高速时钟切换装置
一种具有固定分频关系的高速时钟切换装置，包括一个具有广播功能的交叉单元，该交叉单元的输入端连接时钟通路，其输出端与另一个具有广播、串通和交叉功能的交叉单元的输入端相连接，该两个交叉单元的连接通路上串接有至少一个分频/倍频...
曾理张帆刘明国马小龙
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集成电路器件及其制备方法
本申请提供一种集成电路器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，通过简单的工艺便可形成对相邻两个晶体管漏电流通路抑制的隔离段。该集成电路器件，包括：衬底以及凸出于所述衬底上的鳍片，所述集成电路器件还包括两个相邻的晶体管，所述...
朴善钦马小龙刘燕翔汪大祥陈赞锋夏禹陈华彬周永杰
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一种监控和管理同步数字体系/同步光纤网的方法
本发明涉及一种通过在同步数字体系/同步光纤网开销中的任意位置提取或插入开销字节，而灵活监控和管理同步数字体系/同步光纤网方法。包括的步骤有：在发送端，在信号的段开销的任意位置下插开销字节；在接收端把发送端下插到段开销中的...
陈可加胡端刚马小龙廖志权
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一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一...
马小龙张日清斯蒂芬·巴德尔
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一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。该方法包括：在半导体衬底上形成具有超晶格特征的支撑结构，该支撑结构包括交替设置的第一半导体材...
马小龙张日清斯蒂芬.巴德尔
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