高旭辉
- 作品数:33 被引量:35H指数:3
- 供职机构:北京科技大学更多>>
- 发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>
- 红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究被引量:3
- 2005年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核。本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍。此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价。
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- 关键词:金刚石膜
- 一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用
- 本发明公开了一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用。方法包括:选择一种GaN晶圆,GaN晶圆具有原始衬底;在GaN晶圆生长面表面生长第一过渡层;在第一过渡层表面沉积第一CVD金刚石膜,作为临时载体;采用化学...
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- 文献传递
- 金刚石—终极半导体的“破茧”之路
- 2024年
- 半导体行业是当今世界科技创新的重要驱动力,也是体现各国竞争力的重要标志。半导体材料作为半导体行业的核心,其性能的高低直接决定了半导体产业的技术水平。人造金刚石自问世以来,即以其优异的半导体特性,被赋予了“终极半导体”的美誉。然而,经过近半个世纪的发展,金刚石材料的半导体应用之路仍然是“路漫漫其修远兮”,既面临高质量金刚石半导体材料的生长加工难题,也有金刚石半导体器件设计的关键瓶颈等亟待攻克的技术难题。本文针对金刚石半导体在材料和器件方面的特性、潜在应用、主要研究进展,以及目前面临的一些瓶颈问题进行讨论。
- 高旭辉
- 关键词:CVD金刚石半导体
- 在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究被引量:12
- 2004年
- 本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究。发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致。本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价。
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- 关键词:硫化锌微波等离子体ZNS衬底衬底材料
- 一种大面积沉积金刚石膜的热丝架
- 本实用新型涉及化学气相沉积金刚石膜领域,特别是热丝化学气相沉积装置中的热丝架及其制造方法。热丝架包括左钼电极(1),右钼电极(2),带凹槽销钉(3),弧形槽(4),弹簧架(5),外边条(6),若干根长度相等的灯丝(7),...
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- 文献传递
- 一种快热响应超黑材料及其制备方法
- 一种具备高导热性超黑材料的制备方法,属于功能材料与器件制造领域。采用CVD方式在原始载体上沉积金刚石膜,然后依次完成研磨、抛光等处理工序;随后在CVD金刚石膜表面溅射沉积催化金属层,并通过等离子体刻蚀加热处理工艺实现纳米...
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- 一种金刚石基薄膜电阻器元件的制造方法
- 一种金刚石基薄膜片式电阻器元件的制备方法,属于电子元器件制造领域。采用CVD方式在原始载体上沉积金刚石膜,然后依次完成研磨、抛光、划片以及刻蚀处理工序;随后在图形化CVD金刚石膜表面构建薄膜电阻器,并通过热处理工艺实现薄...
- 魏俊俊李成明陈良贤刘金龙高旭辉
- 文献传递
- 一种超高热流密度散热用金刚石微通道热沉的制备方法
- 本发明涉及一种超高热流密度散热用金刚石微通道热沉的制备方法,属于半导体器件散热领域。通过特殊的衬底技术,以及改进的CVD制备工艺,实现高品质、无裂纹、超厚金刚石自支撑膜的制备;并根据热接触界面要求通过机械研磨抛光控制金刚...
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- 文献传递
- 一种基于催化反应减小纳米金刚石粒径的方法
- 一种基于催化反应减小纳米金刚石尺寸的方法,属于纳米材料领域。工艺步骤为:a.对所选用人工合成的纳米金刚石粉体先用化学处理的方法进行纯化并分离,然后干燥备用;b.将纯化干燥后的纳米金刚石分散在去离子水中,并磁力搅拌使其形成...
- 魏俊俊荆豆红梁轶凡贾鑫李成明刘金龙陈良贤高旭辉
- 一种研磨抛光机的磨料自动添加装置
- 一种研磨抛光机的磨料自动添加装置,属于材料表面加工领域。包括储粉罐导流管、筛网、震动电机、偏心震子、固定装置、导线、时间控制器;导流管一端通过板牙形成M6螺纹,与储粉罐形成配合连接;筛网通过自锁带固定在导流管另一端,震动...
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- 文献传递