鲁琳
- 作品数：27 被引量：53H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术生物学理学更多>>
- 用于视觉修复的视网膜下植入微芯片被引量：9
- 2005年
- 为治疗由视网膜光感受器退化引起的失明,研制了一种可以满足视网膜下植入要求的光电刺激器件--硅基PIN光电探测器阵列结构微芯片,这种电刺激芯片可以在一定程度上代替因疾病受损的光感受细胞,向位于光感受细胞之后、尚未损伤的其他视网膜细胞发出电刺激,从而引发视神经的视觉冲动.微芯片制作采用了硅、硅氧化物以及金等生物相容性较好的材料.在微芯片上利用半导体工艺刻蚀隔离槽,形成一个探测器面阵,面阵上的每个探测器单元可以根据照射在其上的光强大小产生相应的刺激电流.对制作的芯片进行了生物相容性、伏安特性、响应度以及光谱特性的测量,结果表明,芯片在眼睛安全用光的范围内可以产生足够强度的刺激电流,满足动物植入实验的要求.
- 裴为华陈弘达唐君鲁琳刘金彬吴惠娟陈晶华胡小凤黎晓新李凯
- 关键词：视网膜电刺激微芯片PIN光电探测器膜下生物相容性
- 用于神经电信号记录的多通道微探针
- 本文以体硅为衬底,采用微机械加工技术(MEMS)制作了七通道的可植入到脑皮层的微探针,用于记录神经电信号.从生物相容性、减小植入损伤、工艺制作难度等方面考虑,制作了以二氧化硅/硅(SiO2/Si)为主体的微探针,并详述了...
- 隋晓红张若昕裴为华鲁琳陈弘达
- 关键词：MEMS电信号
- 文献传递
- 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵被引量：7
- 2000年
- 通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．
- 方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平胡长虹鲁琳李秀芳王梅
- 关键词：激光二极管列阵砷化镓
- GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器被引量：2
- 2007年
- 成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现器件能否激射依赖于光子晶体参数，而激光器的阈值、出射功率、出射模式与光子晶体的晶格常数、占空比、缺陷大小等因素有关．
- 许兴胜王春霞宋倩杜伟胡海洋赵致民鲁琳阚强陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器单模
- 准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵被引量：11
- 1998年
- 研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
- 肖建伟刘宗顺刘素平方高瞻胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
- 关键词：量子阱激光器列阵大功率半导体激光器
- 一维光子晶体全向反射镜
- 提出了一维光子晶体的一种重要应用,分析了一维光子晶体全向反射镜的原理,总结了全向反射镜的种类,并展望了其发展状况。
- 杜伟许兴胜王春霞胡海洋宋倩鲁琳陈弘达
- 关键词：一维光子晶体带隙微波器件
- 文献传递
- 光子晶体垂直腔面发射激光器
- 本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展.光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调...
- 鲁琳许兴胜裴为华阚强宋倩陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器高功率
- 文献传递
- 利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高
- 计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还...
- 胡海洋许兴胜鲁琳宋倩杜伟王春霞陈弘达
- 关键词：光子晶体氮化镓蓝光发光二极管ICP感应耦合等离子体刻蚀
- 文献传递
- 基于静电传感器的烟气流型识别方法及装置
- 本发明提供一种基于静电传感器的烟气流型识别方法及装置，涉及烟气排放测量技术领域。该方法包括：在烟气排放管道中采集静电传感器的输出信号；基于互相关运算，计算所述输出信号的渡越时间以及颗粒物的速度估计值；计算单带电颗粒经过所...
- 刘昆陈弘达唐君鲁琳
- 利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量：2
- 2006年
- 应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.
- 杜伟许兴胜孙增辉鲁琳高俊华赵致民王春霞陈弘达
- 关键词：光子晶体电子束曝光反应离子束刻蚀
