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黄世娟

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇正电子
  • 1篇电子关联
  • 1篇微结构
  • 1篇物理特性
  • 1篇功能材料

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇黄世娟
  • 1篇叶邦角
  • 1篇刘建党
  • 1篇李骏
  • 1篇张文帅

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
正电子理论计算及其在分析材料微结构中的应用
正电子作为电子的反粒子,除了电荷相反之外,其它与电子无异,也可以作为一种基本的探针,用于表征材料的电子结构。在过去的几十年,以其独特的优势,在凝聚态物理、医学等领域得到了广泛的应用,以正电子为探针的技术逐渐成为一门新兴的...
黄世娟
关键词:功能材料微结构物理特性
完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析与比较
2014年
以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用,它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感,因此,理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要.采用中性原子叠加模型、赝势方法和全势方法处理正电子局域势能,有限差分方法自洽求解正电子波函数,局域密度近似和广义梯度近似处理正电子电子关联势和增强因子,以体心立方结构的α-Fe、面心立方结构的Al和复式面心立方结构的Si三种单晶固体为例,分别计算了它们的正电子体寿命,计算值与相应的实验结果和其他计算结果均符合较好.同时细致分析了这几种方法在电子密度网格点精度、正电子电子关联势和增强因子等方面对正电子体寿命计算的影响,探讨了这几种方法在计算正电子体寿命方面各自的优缺点.
黄世娟张文帅刘建党张杰李骏叶邦角
共1页<1>
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