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万寿科

作品数：15 被引量：31H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇X
  • 2篇单晶
  • 2篇导体
  • 2篇电学
  • 2篇三元合金
  • 2篇砷化镓
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米材料
  • 2篇禁带
  • 2篇晶体
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇宽禁带半导体...
  • 2篇合金
  • 2篇红移

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇南京大学

作者

  • 15篇万寿科
  • 10篇王占国
  • 6篇林兰英
  • 3篇孙学浩
  • 2篇王玉田
  • 2篇徐寿定
  • 2篇李晶
  • 2篇刘祥林
  • 2篇熊飞克
  • 2篇钱家骏
  • 2篇杨锡权
  • 2篇徐俊英
  • 1篇傅建明
  • 1篇陈敦军
  • 1篇张芊
  • 1篇沈波
  • 1篇胡立群
  • 1篇段树坤
  • 1篇张荣
  • 1篇梁骏吾

传媒

  • 9篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第八届全国固...
  • 1篇第五次全国电...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1988
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
1990年
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10^(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。
杨保华王占国万寿科龚秀英林兰英
关键词：LPE晶格匹配
硅中与钯相关的深能级的研究被引量：1
1989年
本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.
傅建明王占国万寿科林兰英
关键词：硅钯
宽禁带半导体材料及纳米材料低温光学性质研究
我们建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统.该系统对MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长高磷(P)组份的GaN<,1-x>P<,x>三元合金(最高x=20﹪),在4.8K下进行了PL谱测量.发现随...
万寿科孙学浩王占国
关键词：纳米材料红移半导体材料
文献传递
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
关键词：INGAAS/INP
退火直拉硅中小于10nm的微缺陷
直拉硅中氧的浓度高达10at/cm,在器件工艺的热处理过程中,会产生氧的沉淀或形成硅氧团(SiO)。经过650℃下较长时间热处理所形成的与氧有关的缺陷,在表观上起施主陷阱中心的作用,引起硅片电阻率的漂移,影响器件的阈值电...
钱家骏王占国万寿科林兰英
文献传递
GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长被引量：1
2002年
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .
陈敦军毕朝霞沈波张开骁顾书林张荣施毅胡立群郑有炓孙学浩万寿科王占国
关键词：三元合金MOCVD化学态红移
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料被引量：2
1991年
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.
段树坤熊飞克李学斌李晶王玉田江德生徐俊英万寿科钱家骏
关键词：量子阱材料
宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究
我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL 测试的系统。该系统对MOCVD 法生长,以适当配比双掺Si、Zn 杂质的6H—GaN 单晶薄膜进行测量。在300K时,A 峰为带边峰,波长为367.1nm(...
万寿科孙学浩张金福王占国
关键词：氮化镓碳化硅光致发光
文献传递
InGaN光致发光性质与温度的关系被引量：8
2001年
分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .
樊志军刘祥林万寿科王占国
关键词：INGAN变温光致发光性质铟镓氮
n型LEC-GaAs中E_5能级的研究
1989年
本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处.用多声子过程解释了E,能级光阈值能小于热激活能的现象.
张芊王占国万寿科林兰英
关键词：DLTS深能级
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