付正文
- 作品数：2 被引量：12H指数：1
- 供职机构：复旦大学化学系激光化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究被引量：12
- 2003年
- 首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜.X 射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃,沉积时间为0.5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构,SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征,结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成,锂化后的产物可能是LixBi2O3.此外,由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数.电化学测定表明,上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能.在电压范围为0.70～3.5V,该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh/g,并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减.
- 储艳秋付正文应丽郑企克秦启宗
- 关键词：脉冲激光沉积氧化铋电化学性质锂离子电池
- 脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
- 1998年
- Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。
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- 关键词：脉冲激光沉积电学性质DLTS
