余裕宁
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PSP基RF-MOSFET模型库的开发
- 相比于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,硅基CMOS工艺以其低成本、低功耗、易于系统集成等特点,已成为近年来集成电路设计的热点。另一方面,随着MOSFET特征尺寸的不断降低,各种新的器件结构不断涌现,器件尺寸的缩小带来了射频性能上的...
- 余裕宁
- 关键词：CMOS工艺物理效应
- 文献传递
- 一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型(英文)
- 2010年
- 提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性。此后,该模型通过不同尺寸的共源连接RFMOSFET的测量和仿真的直流、小信号S参数特性比对,曲线达到了较好的吻合,表明我们的模型是精确而且有效的。
- 余裕宁孙玲玲刘军
- 关键词：串联电阻
