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侯晓远

作品数：110 被引量：226H指数：10
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇期刊文章
  • 31篇专利
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 58篇电子电信
  • 21篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 39篇发光
  • 28篇多孔硅
  • 19篇砷化镓
  • 17篇半导体
  • 14篇电致发光
  • 12篇发光器件
  • 11篇钝化
  • 8篇硫钝化
  • 7篇电致发光器件
  • 7篇电子能
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇电子能谱
  • 6篇有机发光
  • 6篇发光多孔硅
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇GAAS
  • 5篇有机半导体
  • 5篇光电

机构

  • 110篇复旦大学
  • 12篇长沙电力学院
  • 4篇四川工业学院
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西南师范大学
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 110篇侯晓远
  • 61篇丁训民
  • 22篇熊祖洪
  • 21篇王迅
  • 19篇廖良生
  • 16篇曹先安
  • 15篇何钧
  • 11篇刘小兵
  • 11篇陈溪滢
  • 9篇张甫龙
  • 9篇钟高余
  • 8篇袁泽亮
  • 8篇张松涛
  • 7篇柳毅
  • 7篇郝平海
  • 7篇范洪雷
  • 7篇周翔
  • 7篇黄大鸣
  • 6篇詹义强
  • 6篇史向华

传媒

  • 20篇Journa...
  • 20篇物理学报
  • 6篇物理
  • 4篇自然科学进展...
  • 2篇科学通报
  • 2篇发光学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇物理学进展
  • 1篇长沙电力学院...
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇四川工业学院...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 10篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 6篇2000
  • 8篇1999
  • 12篇1998
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱
2000年
在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga
董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远
关键词：GAAS表面光电子能谱砷化镓
P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
1992年
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。
卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民
关键词：磷砷化镓相互作用温度相关
发光多孔硅材料的制备方法
一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐...
侯晓远范洪雷柳毅熊祖洪丁训民
多孔硅光致发光的温度效应研究被引量：4
1998年
通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动（即红移）；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动（即蓝移）．根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象．
刘小兵熊祖洪袁帅陈彦东何钧廖良生丁训民侯晓远
关键词：多孔硅光致发光温度效应
砷化镓表面钝化保护膜的制备方法
一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长...
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远王迅
硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜被引量：2
1998年
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。
袁泽亮侯晓远王迅
关键词：表面钝化硫钝化半导体薄膜技术
砷化镓表面钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
用于使用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统
本公开涉及用于使用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统。该系统包括用于制备胶体量子点光电器件的处于惰性气体氛围的手套箱、与手套箱经由阀门连接的沉积室、与沉积室连接的第一真空泵系统、以及分别与手套箱和沉积室连接的惰性...
衣睿宸朱春琴朱光瑞侯晓远
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅被引量：17
1995年
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．
范洪雷侯晓远李喆深张甫龙俞鸣人王迅
关键词：发光多孔硅多孔硅
低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性被引量：14
1996年
用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.
陈华杰张甫龙范洪雷阵溪滢黄大鸣俞鸣人侯晓远李谷波
关键词：多孔硅
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