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全冯溪

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 4篇电容
  • 3篇电极
  • 3篇金属连线
  • 2篇点坐标
  • 2篇电容量
  • 2篇电容容量
  • 2篇顶点
  • 2篇顶点坐标
  • 2篇填充金属
  • 2篇图形化
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇刻蚀
  • 2篇互连
  • 2篇极板
  • 2篇寄生

机构

  • 11篇上海集成电路...

作者

  • 11篇全冯溪
  • 9篇周伟
  • 4篇王全
  • 3篇蒋宾
  • 2篇叶红波

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MOM电容的制造方法
本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积绝缘介质层；通过两次图形化工艺，在所述绝缘介质层中分别形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽...
王全全冯溪姚树歆
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一种金属-氧化物-金属电容的形成方法
本发明提供一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容的形成方法，其包括提供一晶圆基底；在所述晶圆基底上沉积金属层；通过两次图形化工艺，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极；在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成MOM电容。通过...
王全全冯溪周伟
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平面八边形螺旋结构的生成方法
本发明提供一种平面八边形螺旋结构的生成方法，在满足版图设计规则的前提下，以版图参数为输入值，设定分段渐变量并进行分段渐变内边或外边到原点的距离得到各圈线圈各段内边或外边，同时设定相对于正八边形的顶点偏移量并进行顶点偏移得...
全冯溪叶红波周伟
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平面八边形螺旋结构的生成方法
本发明提供一种平面八边形螺旋结构的生成方法，在满足版图设计规则的前提下，以版图参数为输入值，设定分段渐变量并进行分段渐变内边或外边到原点的距离得到各圈线圈各段内边或外边，同时设定相对于正八边形的顶点偏移量并进行顶点偏移得...
全冯溪叶红波周伟
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集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法
本发明公开了一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，包括提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成第一导电类型外延层；在外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且体区之间形成有预定...
周伟全冯溪
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一种金属-介质-金属电容及其制造方法
本发明涉及一种金属‑介质‑金属电容及其制造方法。通过本发明的电容及其制造方法，可以将具有较高介电常数的介质层的电容集成到采用常规或者较低介电常数介质的后道互连工艺中，从而可以实现在大容量集成电容的时候，提高电容的面积利用...
周伟全冯溪蒋宾
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一种金属-氧化物-金属电容的制造方法
本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括在晶圆基底上，沉积以High-K介质作为材料的第一绝缘介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层介质图形；在晶圆表面沉积以常规介质或low-k介质作为材料的第二绝缘介质层；使用化学...
全冯溪周伟蒋宾
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片上集成铜电感
本发明公开了一种片上集成铜电感，包括：由金属互连线形成的线圈、第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层将相邻的线圈隔离开，所述第二隔离层将线圈内部隔离开，且所述第二隔离层不分隔金属互连线的起始和结尾处。由于较宽的金属互连线...
全冯溪王全
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一种金属-介质-金属电容及其制造方法
本发明涉及一种金属-介质-金属电容及其制造方法。通过本发明的电容及其制造方法，可以将具有较高介电常数的介质层的电容集成到采用常规或者较低介电常数介质的后道互连工艺中，从而可以实现在大容量集成电容的时候，提高电容的面积利用...
周伟全冯溪蒋宾
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集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法
本发明公开了一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，包括提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成第一导电类型外延层；在外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且体区之间形成有预定...
周伟全冯溪
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