冯黎
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信更多>>
- 2H-1,2,3-二氮磷唑类化合物与重氮芴的环加成反应
- 2004年
- 近年来,各种二配位磷化合物受到广泛的关注[1,2].其中,2H-1,2,3-二氮磷唑类杂环化合物1可方便地从相应酮腙与PCl3在MNEt3存在下制得.研究表明,不饱和官能团＞C=P-键可作为亲1,3-偶极体,与重氮芴顺利地发生[3+2]环加成反应.随着反应物及反应条件的不同,我们分别得到了三种不同类型的产物,即放氮产物2,保留氮产物3及环状三聚体4,如Scheme 1所示.……
- 郭湘云冯黎王全瑞陶凤岗
- 四氢氮杂卓并异喹啉（THAI）和二氢吡咯并四氢异喹啉（THI）光致变色化合物的合成及性质研究
- 光致变色是指单一的化学物种在光的辐射下，可转化为具有明显不同吸收光谱的另一物质，这种物质在另一波长光或热的作用下，又可恢复到原来的状态。2001年，Duerr等合成了四氢氮杂卓并异喹啉(THAI)和二氢吡咯并四氢异喹啉(...
- 冯黎
- 关键词：异喹啉光致变色化合物
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- 化学拆分法制备手性内酯香料——几种（R）-（+）-γ-烷基丁内酯和（S）-（-）-γ-烷基丁内酯的制备
- γ-烷基丁内酯富含奶香，果香，具有留香时间长、香气圆润及增香作用等特点，在水果、饮料、日常食物中的含量极为丰富，是重要的香原料，被广泛用于食用香精和日化香精的调制中，是香料中需求量较大的产品之一。通过一般化学合成方法获得...
- 冯黎
- 关键词：绿色化学光学异构体化学拆分化学合成
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- 高效率高线性射频GaN功率器件及其制备方法
- 本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源极，设置在衬底上方，漏极，设置在衬底上方与源极相对应，栅极，设置在衬底上方，位于源极与漏极之间，其中，源极和漏极...
- 冯黎周德金黄伟卢红亮张卫
- 文献传递
- 一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法
- 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层...
- 周德金冯黎 李晓茜张卫卢红亮黄伟
- 文献传递
- 一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件及其制造方法
- 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与...
- 冯黎周德金黄伟卢红亮张卫
- 一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件及其制造方法
- 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与...
- 冯黎周德金黄伟卢红亮张卫
- 一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法
- 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层...
- 周德金冯黎 李晓茜张卫卢红亮黄伟
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- 四氢氮杂卓并异喹啉(THAI)和二氢吡咯并四氢异喹啉(THI)类光致变色化合物的合成及性质研究
- 冯黎
- T公司进入中国太阳能光伏产业的竞争策略探讨
- 冯黎
- 关键词：太阳能光伏新兴产业中文
