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纳米时代的新型CMOS器件被引量：2: 2001年; 体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线。; 甘学温黄爱华卜伟海张兴; 关键词：CMOS器件场效应晶体管纳米

一种制备SON型场效应晶体管的方法: 本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)...; 卜伟海黎明黄如王阳元; 文献传递

新型SON器件的自加热效应被引量：1: 2005年; 分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.; 吴大可田豫卜伟海黄如; 关键词：自加热效应

一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法: 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源...; 田豫黄如卜伟海周发龙; 文献传递

一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法: 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源...; 田豫黄如卜伟海周发龙; 文献传递

一种制备空洞层上的硅场效应晶体管的方法: 本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)...; 卜伟海黎明黄如王阳元; 文献传递

深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型: 2001年; 采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾 ,并且大大提高了输出电阻 .在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型 .模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效应、短沟效应及迁移率的影响 .在考虑可动电荷影响的情况下进行准二维分析 ,求解表面势 ,进而求出包括扩散分量和漂移分量的亚阈电流 .模型计算结果得到良好的验证 ,正确反映了SOI推进型栅控混合管的电流特性 .该模型同时对POCKET注入深亚微米MOSFET的电流模拟有重要参考意义 .; 黄如卜伟海张兴王阳元; 关键词：SOI 动态阈值深亚微米微电子技术 DTMOS

纳米尺度新结构SON/SOI器件的研究: 随着MOS晶体管特征尺寸进入亚50nm尺度，器件中的短沟效应和DIBL效应日益严重，继续对传统结构的MOS器件进行等比例缩小已经面临诸多困难，UTBSOIMOSFET被认为是一种适合小尺寸器件的极具潜力的非常规器件结构。...; 卜伟海; 关键词：纳米集成电路

GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's: 2001年; GeSi source/drain structure is purposefully adopted in SOI p MOSFET's to suppress the short channel effect (SCE).The impact of GeSi material (as source only,drain only or both source and drain) on the threshold voltage rolling off and DIBL effect is thoroughly investigated,as well as the influence of the Ge concentration and silicon film thickness.The Ge concentration should be carefully chosen as a tradeoff between the driving current and SCE improvement.The detailed physics is explained.; 黄如卜伟海王阳元; 关键词：SOI

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卜伟海