吴晓鹏
- 作品数：38 被引量：18H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应被引量：2
- 2006年
- 衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等不同层次衬底噪声耦合效应的抑制方法与技术,同时对将来衬底噪声研究的发展方向以及新思路进行分析与讨论。
- 吴晓鹏杨银堂朱樟明
- 关键词：混合信号建模方法EEACC
- 嵌入式折叠内插式CMOS模/数转换器设计被引量：2
- 2004年
- 基于折叠内插式 ADC结构 ,采用分段式结构、两级折叠、主动内插技术和非线性误差补偿技术 ,采用TSMC0 .35 μm CMOS工艺设计实现了 8位 40 MS/s ADC。基于 BSIM3V3模型 ,采用 Cadence Spectre仿真器对 8位折叠内插式 ADC进行了系统仿真 ,采用 MPW计划对 ADC进行了流片验证 ,仿真和测试结果表明该ADC具有较低的非线性误差和良好的频域特性 ,证明了误差补偿技术的有效性。该 ADC的有效面积为 0 .6mm2 ,适合嵌入式应用。
- 朱樟明杨银堂孙龙杰吴晓鹏
- 关键词：模数转换器误差补偿
- 深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型
- 2006年
- 提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果,并可以方便地嵌入SPICE中进行一定规模的电路模拟。
- 吴晓鹏杨银堂朱樟明
- 关键词：衬底噪声数模混合电路CMOS
- 多光谱复合检测系统
- 本发明提出一种多光谱复合检测系统，主要解决现有多光谱检测系统红外探测波段少，实时性不足，跟踪精度不高的技术问题。其包括成像系统单元、信息处理单元和控制单元，其中成像系统单元采用近红外、中红外和远红外相机以及位敏探测器，通...
- 申景诗陈堃曹长庆吴晓鹏冯喆珺曾晓东王婷呼夏苗
- 文献传递
- 一种面向SOC的衬底噪声宏模型
- 2006年
- 针对SOC中常见的衬底噪声耦合问题,通过将器件模拟与拟合法相结合,基于0.25μm CMOS工艺提取衬底结构参数建立了电阻宏模型。该模型被应用于CMOS放大器电路,利用Hspice进行仿真,仿真结果表明,该模型从时、频域角度都能较好地表征出衬底噪声对模拟电路性能的影响,对深亚微米混合信号电路设计具有重要的指导意义。
- 吴晓鹏杨银堂朱樟明
- 关键词：衬底噪声系统集成芯片宏模型
- 一种基于本振光章动的信号光波前补偿方法
- 本发明公开了一种基于本振光章动的信号光波前补偿方法，包括：本振光章动：利用快速反射镜为本振光提供微弧度量级的轴向偏转角，使得本振光做锥形运动；波前斜率矩阵估计：将章动的本振光与信号光在透镜阵列表面干涉，利用微透镜阵列将混...
- 吴锦闫旭曹长庆冯喆珺吴晓鹏武增艳叶暑冰李梦园雍嘉伟
- 文献传递
- 空间光通信的相干跟踪及视轴误差补偿系统
- 本发明公开了一种应用于空间光通信的相干跟踪及视轴误差补偿系统，解决了现有跟踪补偿系统电路复杂性高，探测灵敏度低，系统脆弱及硬件要求难以实现等问题。包括：光路单元、探测单元、信息处理与控制单元；其中，利用光路单元为接收到的...
- 闫旭曹长庆曾晓东吴晓鹏冯喆珺王蕊王显宁金娜
- 文献传递
- 一种反馈型过流保护电路和开关电源
- 本发明公开了一种反馈型过流保护电路和开关电源，该反馈型过流保护电路包括电流采样电路、电流敏感放大器模块和电流限制比较器模块，电流采样电路与电流敏感放大器模块的输入端连接，电流敏感放大器模块的输出端与电流限制比较器模块的输...
- 吴晓鹏王鑫崑杨丰刘帘曦
- 一种基于失效物理的电子元器件可靠性模型构建方法
- 本发明涉及一种基于失效物理的电子元器件可靠性模型构建方法，包括：步骤一：采集电子元器件参数，确定电子元器件的应用环境；步骤二：在应用环境下，根据电子元器件参数，获取可靠性相关系数，包括：内部失效系数C<Sub>1</Su...
- 吴晓鹏张涛单光宝杨银堂王亦康汪芳倩侯嘉豪
- 一种新型结构栅耦合ggNMOS ESD保护电路研究被引量：1
- 2011年
- 针对现有栅耦合NMOS(gate coupled NMOS,gcNMOS)静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路对特定ESD脉冲不能及时响应造成的"触发死区"现象,本文提出了一种全新结构的栅耦合栅接地NMOS(gate coupled gate grounded NMOS,gc-ggNMOS)ESD保护电路,这种结构通过利用保护电路中漏、栅交叠区的寄生电容作为耦合电容,连接保护电路栅与地的多晶硅(poly)电阻作为耦合电阻,在有效解决原有gcNMOS结构"触发死区"现象的同时,还避免了因引入特定耦合电容带来版图面积的增加,进而提高了ESD保护电路鲁棒性指标。本文采用ISE-TCAD仿真软件,建立了0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下gc-ggNMOS ESD保护电路的3D物理结构模型,并对此种结构中关键性参数耦合电阻、电容与触发电压特性的关系进行了系统仿真。仿真表明,当耦合电容为定值时,保护电路触发电压随耦合电阻阻值的增加而减小,这一结果与流片的传输线脉冲(transmission line pulsing,TLP)测试结果吻合。全新结构的gc-ggNMOS ESD保护电路通过了5KV人体放电模式(human body model,HBM)测试。本文的研究结果为次亚微米MOS ESD保护电路的设计提供了一种新的参考依据。
- 张冰柴常春杨银堂吴晓鹏
- 关键词：GATE
