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吴阿慧

作品数：10 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇功率
  • 4篇大功率
  • 3篇直流偏置
  • 3篇偏置
  • 3篇微波测试
  • 3篇微波器件
  • 3篇内匹配
  • 3篇隔离度
  • 3篇高隔离
  • 3篇高隔离度
  • 3篇PHEMT
  • 3篇超大功率
  • 2篇振荡器
  • 2篇滤波网络
  • 2篇HEMT
  • 2篇GAAS
  • 1篇电光
  • 1篇电光效应
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇压控

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇信息产业部
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 10篇吴阿慧
  • 4篇李剑锋
  • 3篇顾占彪
  • 3篇林丽艳
  • 2篇吴洪江
  • 2篇银军
  • 1篇张海明
  • 1篇花吉珍
  • 1篇石顺祥
  • 1篇魏碧华
  • 1篇张志国
  • 1篇杨克武
  • 1篇余若祺
  • 1篇袁凤坡
  • 1篇康建磊
  • 1篇刘桢
  • 1篇张博闻
  • 1篇斛彦生

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇通讯世界
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型光波导阵列电光快速扫描器的研制
本文研究了一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理,分析了光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,研究了器件的工艺制作过程及湿法腐蚀工艺的控制精度对器件性能的影响.并通过实验验证了器件的扫描特性,指出这种...
吴阿慧西安电子科技大学(西安市)石顺祥花吉珍袁凤坡
关键词：激光扫描光波导阵列电光效应湿法腐蚀
文献传递
14.5～15GHz 11W内匹配功率器件
2011年
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。
康建磊杨克武吴洪江吴阿慧
关键词：GAASPHEMT内匹配高频器件输入阻抗输出阻抗
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本实用新型公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本实用新型包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
X波段高效率GaAs内匹配功率管研制被引量：1
2020年
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,以此为基础设计多枝节阻抗变化器,将阻抗逐步匹配至50Ω,实现宽带阻抗匹配。设计并实现了工作频率8.9 GHz^10.1 GHz,输出功率大于35 W,功率增益大于7.5 d B,功率附加效率大于40%的Ga As内匹配功率管,具有广阔的应用前景。
银军李剑锋余若祺张博闻吴阿慧
关键词：内匹配X波段功率
30GHz PHEMT振荡器
2005年
介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.
吴阿慧
关键词：VCOPHEMT
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
InP HEMT注入隔离技术研究
InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件的射频特性.我们研究了晶格匹配的InGaAs/InAlAs/I...
吴阿慧张海明魏碧华
关键词：INPHEMT微波毫米波
文献传递
S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究被引量：6
2013年
基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗。采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT。在频率为2.7～3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50%、栅源电压Vgs为-3 V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47%,功率增益大于13 dB。
刘桢吴洪江斛彦生吴阿慧银军张志国
关键词：内匹配功率合成大功率
30GHz PHEMT振荡器
本文介绍了一种30GHz VCO的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路采用共源网络结构基于负阻概念设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和脉冲I-V参数,提取出该器件的Modified_Materka F...
吴阿慧
关键词：PHEMT谐波平衡法压控振荡器
文献传递
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