周少波
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光电子科学与工程学院光电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 反应离子束溅射沉积和还原退火工艺制备VO_x多晶薄膜被引量：2
- 2004年
- 通过反应离子溅射沉积和后退火工艺制备出优质微测辐射热计用的氧化钒薄膜。对薄膜退火前后进行了扫描电子显微镜分析,结果表明,制备的VOx多晶薄膜致密均匀,退火后晶粒尺寸变大。电学测试表明,在室温时薄膜的方块电阻约为50kΩ,电阻温度系数为-0.022/K,满足制作高性能微测辐射热计的要求。
- 周少波王双保陈四海易新建
- 关键词：氧化钒薄膜微测辐射热计
- 相变型VO_2薄膜的制备及其特性的研究被引量：9
- 2005年
- 利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试。这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在。对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍。通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素。
- 周少波王双保陈四海易新建
- 关键词：VO2相变特性
- 应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作
- 2003年
- MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一 ,在封装设计中 ,如何测试封装的有效性就显得尤为重要。本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程。在其上进行气密性封装 ,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能。在设计中 ,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求。制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺。该湿度传感器结构简单 ,易于制作 。
- 熊韬易新建陈四海陈明祥周少波
- 关键词：MEMS气密性封装光刻刻蚀
- 新型VO_2相变薄膜的制备被引量：6
- 2004年
- 采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120～148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。
- 周少波王双保陈四海易新建熊韬
- 关键词：VO2薄膜相变离子束溅射
