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孙振翠

作品数：26 被引量：53H指数：4
供职机构：山东交通学院理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省博士后创新项目博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇溅射
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 9篇GAN薄膜
  • 7篇射频磁控
  • 7篇射频磁控溅射
  • 7篇硅基
  • 7篇镓
  • 6篇GA
  • 5篇氮化镓
  • 4篇氨化
  • 4篇半导体
  • 4篇SI基
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇发光
  • 3篇SI(111...
  • 3篇衬底
  • 2篇纳米

机构

  • 21篇山东师范大学
  • 8篇山东交通学院
  • 1篇山东农业大学

作者

  • 26篇孙振翠
  • 17篇薛成山
  • 13篇魏芹芹
  • 13篇曹文田
  • 5篇王书运
  • 5篇庄惠照
  • 5篇孙海波
  • 4篇董志华
  • 3篇王强
  • 2篇裴素华
  • 2篇高海永
  • 2篇杨利
  • 2篇伊长虹
  • 2篇张芹
  • 2篇裴娟
  • 1篇郭兴龙
  • 1篇王强
  • 1篇王惠
  • 1篇石礼伟
  • 1篇原所佳

传媒

  • 6篇稀有金属材料...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇山东师范大学...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇山东交通学院...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇分析测试技术...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇泰山学院学报
  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2005
  • 10篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究被引量：1
2003年
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)。X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析。初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳。SEM显示在均匀的薄膜上出现φ6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山王强
关键词：氮化镓SEMSAEDXRD光致发光谱
利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数被引量：1
2014年
膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内(20.6℃-70.6℃)空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27%,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.
裴娟秦羽丰孙振翠贾景立
关键词：霍尔元件线膨胀系数梯度磁场
Si基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜
2007年
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓S i基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和荧光光谱(PL)对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。
孙振翠原所佳孙海波
关键词：GAN薄膜射频磁控溅射
氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜被引量：5
2005年
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。
魏芹芹薛成山孙振翠曹文田庄惠照
关键词：GAN氮化磁控溅射
热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面
2004年
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和发光特性的分析。SEM显示在平滑的表面上出现了由绳状、树根状、项链状晶体组成的奇异面。FTIR、XRD和SAED显示生成的GaN奇异面呈六方纤锌矿多晶结构同时含有少量的碳污染。PL谱显示了不同于一般GaN发光谱的发光峰。
孙振翠曹文田魏芹芹薛成山王书运
关键词：GAN薄膜SI基绳状
扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析被引量：2
2004年
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大.
王书运孙振翠曹文田薛成山
关键词：射频磁控溅射
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究被引量：1
2004年
采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波
热壁CVD法GaN微晶粒的制备
2003年
用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。用扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射谱(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)、光致荧光谱(PL)对样品进行了结构、组分及发光特性分析。结果表明:这些微晶粒为GaN六方铅锌矿。
薛成山魏芹芹孙振翠曹文田董志华
关键词：氮化镓薄膜发光特性
石墨烯基无机纳米复合材料的制备及其性能研究
石墨烯是碳原子组成的二维六角型呈蜂巢状的单原子层晶体，拥有优异的光电性能、机械性能、高的比表面积、较好的化学稳定性和独特的平面结构等诸多优异性能，这使其可以作为一个理想的载体承载各类无机化合物，非常适合高性能石墨烯基无机...
孙振翠
关键词：化学气相沉积法无机纳米复合材料合成制备结构性能
文献传递
一种半导体用安全箱
一种半导体用安全箱，本实用新型涉及半导体储存技术领域，所述的上盖内上下并列设有数个固定装置；固定装置包含固定带和位于固定带左右两侧的固定卡子；固定卡子固定设于上盖内；固定带外端穿过固定卡子的通孔槽后，与固定带内侧表面固定...
裴娟钱恒昌孙海波孙振翠张芹王惠岳大光王帅梁军胡丽君原瑞花高尚李畅
文献传递
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