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孙春妹

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇内匹配
  • 2篇GAN
  • 1篇单电源
  • 1篇氮化镓
  • 1篇多通道
  • 1篇有源相控阵
  • 1篇有源相控阵雷...
  • 1篇三维封装
  • 1篇偏置
  • 1篇自偏置
  • 1篇相控阵
  • 1篇相控阵雷达
  • 1篇小型化
  • 1篇雷达
  • 1篇基板
  • 1篇功率管
  • 1篇封装
  • 1篇S波段
  • 1篇T/R
  • 1篇T/R组件

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇孙春妹
  • 2篇钟世昌
  • 1篇张维
  • 1篇周骏
  • 1篇叶育红
  • 1篇任春江
  • 1篇焦刚
  • 1篇李朝阳
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇陈辰
  • 1篇沈亚
  • 1篇沈亮
  • 1篇高涛

传媒

  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：8
2010年
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。
孙春妹钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰高涛
关键词：GAN功率管内匹配
多通道小型化三维封装T/R组件被引量：1
2011年
南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量，简化封装设计的难度，具有体积小、集成度高、性能优异等特点。
沈亚周骏沈亮叶育红李朝阳孙春妹张维
关键词：T/R组件三维封装多通道小型化LTCC基板有源相控阵雷达
2.3-2.5GHz自偏置20W GaN功率放大器的设计与实现
2018年
文章介绍了一种单电源S波段10W GaN内匹配功率放大器。器件基于3.6mm GaN HEMT管芯,采用内匹配技术对其进行输入输出匹配,利用单电源的自偏置结构给器件提供瞬态保护。放大器工作频率范围2.3GHz～2.5GHz,在32V漏电压、连续波测试条件下,输出功率大于20W,功率附加效率大于50%,最高点达到55%,功率增益大于16dB。
孙春妹王召义刘伟钟世昌
关键词：氮化镓内匹配单电源S波段
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