您的位置: 专家智库 > >

张金超

作品数:2 被引量:5H指数:2
供职机构:浙江工业大学机电工程学院更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电迁移
  • 2篇电子封装
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子封装
  • 2篇焊点
  • 2篇封装
  • 2篇BGA焊点
  • 2篇FC
  • 1篇载荷
  • 1篇载荷作用
  • 1篇FCB

机构

  • 2篇浙江工业大学
  • 1篇衢州学院

作者

  • 2篇张金超
  • 1篇梁利华
  • 1篇张元祥

传媒

  • 1篇工程力学

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
多场载荷交互作用下FCBGA焊点的电迁移失效研究
随着微电子封装逐步向微型化、轻量化、高性能、低成本发展,互连焊点的电流密度的急剧增加,极易诱致焊点的电迁移失效问题。本文针对某型号倒装芯片球栅阵列封装(FCBGA)的焊点电迁移问题进行了研究,主要工作和结果如下:   ...
张金超
关键词:微电子封装电迁移
多场载荷作用下FCBGA焊点的电迁移失效研究被引量:3
2013年
基于有限元法,结合子模型技术对倒装芯片球栅阵列封装(FCBGA)进行电-热-结构耦合分析,获得关键焊点的电流密度分布、温度分布和应力分布,采用原子通量散度法(AFD)和原子密度积分法(ADI)对关键焊点的电迁移(EM)特性及影响因素进行研究。结合焊点电迁移失效的SEM图,发现综合考虑电子风力、应力梯度、温度梯度以及原子密度梯度四种电迁移驱动机制的原子密度积分法能比较准确地预测焊点的电迁移失效位置,原子密度梯度(化学势)通常会延缓电迁移现象。
梁利华张金超张元祥
关键词:微电子封装电迁移
共1页<1>
聚类工具0