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张颜林

作品数:16 被引量:12H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 6篇放大器
  • 3篇电容
  • 3篇电压
  • 3篇运算放大器
  • 3篇偏置
  • 3篇频率补偿
  • 3篇集成电路
  • 3篇存储器
  • 2篇带隙基准
  • 2篇低功耗
  • 2篇电压信号
  • 2篇容性负载
  • 2篇数模
  • 2篇数模混合
  • 2篇数模混合集成...
  • 2篇数字电路
  • 2篇配置数据
  • 2篇偏置电路
  • 2篇转换器

机构

  • 15篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇郑州铁路职业...

作者

  • 16篇张颜林
  • 10篇刘伦才
  • 6篇苏晨
  • 4篇雷昕
  • 4篇邓军
  • 3篇刘林涛
  • 2篇王健安
  • 2篇刘凡
  • 2篇邹伟
  • 2篇黄旭
  • 2篇陶毅
  • 2篇万辉
  • 1篇李向超
  • 1篇蒲璞
  • 1篇杨伟
  • 1篇雷郎成
  • 1篇高炜祺
  • 1篇金光
  • 1篇罗秀芳
  • 1篇杨武

传媒

  • 4篇微电子学
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇环境技术

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 2篇2007
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CMOS中频数字接收机片上系统的设计与实现被引量:1
2016年
随着CMOS工艺技术的进步,集成化、小型化成为电子器件的发展趋势。提出了一种基于CMOS工艺的中频数字接收机片上系统(SoC)方案,实现了将射频接收前端、A/D转换器(ADC)、数字下变频器(DDC)和数字基带处理器集成在一个芯片上。该芯片采用0.18μm CMOS工艺,芯片面积为(7×8)mm^2。在0.5~4GHz范围内完成了芯片测试。测试结果表明,SoC芯片射频接收前端的镜像抑制比为46.3dB,系统噪声为9.4dB,增益控制范围为54.4dB,满足系统的指标要求。该芯片在小型化、集成化、高可靠性电子系统中有广泛的应用前景。
邓军张颜林刘林涛黄旭陶毅
关键词:中频数字接收机射频接收前端SOCA/D转换器
抗辐照低功耗多通道中频处理器
苏晨刘凡雷郎成张颜林高炜祺杨伟蒲璞涂景怀彭伟宾元杰万辉廖望
随着数字信息化时代的发展,以A/D转换器为核心的抗辐照低功耗多通道中频处理器的重要性将越加突出,尤其是现在高性能A/D转换器正面临国外禁运或者随时可能禁运的风险,以国产A/D转换器为核心的抗辐照低功耗多通道中频处理器设计...
关键词:
关键词:运算放大器
一种驱动宽范围容性负载的三级运算放大器
本发明涉及一种驱动宽范围容性负载的三级运算放大器,包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和频率补偿单元,所述第一级放大电路包括第一放大单元和第二放大单元,所述频率补偿单元包括第一补偿单元和第二补偿单...
廖鹏飞张颜林崔华锐雷昕苏晨刘伦才
文献传递
16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术被引量:2
2011年
提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路的INL为2.5 LSB,SNR为88.8 dB,零点误差EZ为1.1 LSB;修调后,A/D转换器有效位数ENOB从12.56位提高到14.46位。
万辉马丹张靖张颜林杨平
关键词:A/D转换器
应用于FPAA的基于存储器的多功能动态配置电路
本发明提供一种应用于FPAA的基于存储器的多功能动态配置电路,包括SPI模块、主控制器、存储器控制器、存储器、寄存器选择开关阵列、并列结构配置寄存器阵列和配置开关阵列;所述SPI模块的输出端与主控制器相连,所述主控制器的...
邓军刘伦才刘林涛王健安张颜林
文献传递
一种带瞬态响应增强的无电容型LDO被引量:2
2017年
在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO。采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积。采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度。采用0.13μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证。结果表明,片上补偿电容为2pF时,系统静态电流为30μA,当负载在1μs内从1mA变化到50mA时,输出电压过冲为88mV,下冲为50mV,与不带过冲/下冲检测电路的LDO相比,分别提高了56%和54%。
廖鹏飞金光李向超邓军张颜林胡珂流刘伦才
关键词:频率补偿CMOS工艺
抗辐射高可靠性通信系统超大规模多功能集成电路
张颜林李丹刘凡付华丰周亮闫军山黄旭陶毅杨虹杨武谭林廖鹏飞苏晨汪芳罗秀芳
主要技术内容: 抗辐射高可靠性通信系统超大规模多功能集成电路是中国电子科技集团公司第二十四研究所根据用户的实际需求,自主研制开发的横向产品,包括SW358MGRH型波控专用电路、SW352XRH型T/R组件波控芯片两款产...
关键词:
关键词:超大规模集成电路
一种高速低功耗的欠压锁定电路被引量:5
2019年
设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。
谭林彭克武廖鹏飞张颜林刘伦才
关键词:欠压锁定自适应偏置
一种内嵌参考电压的LDO
本发明涉及一种内嵌参考电压的LDO,包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差放大器、功率驱动管和反馈网络;所述启动电路与PTAT电流产生器连接,所述跨阻放大器对流过反馈网络的电流和PTAT电流产生...
廖鹏飞张颜林谭林雷昕苏晨刘伦才
文献传递
某型数模混合集成电路基准异常抖动现象分析
随着半导体集成电路设计技术和工艺的进步,数模混合集成电路成为集成电路必然趋势。数模混合集成电路将高性能模拟单元和专用数字逻辑控制单元集成在单个芯片上,具有集成度高、面积小、功耗小的优点。但是,由于数字单元和模拟单元共用芯...
张颜林邹伟周亮
关键词:数模混合集成电路带隙基准串扰
共2页<12>
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