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彭少麒

作品数：18 被引量：34H指数：3
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信冶金工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇冶金工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇纳米晶
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶硅
  • 3篇半导体
  • 2篇单质
  • 2篇导体
  • 2篇异质结
  • 2篇位置控制
  • 2篇光敏
  • 2篇光谱
  • 2篇光生
  • 2篇氦
  • 2篇碳
  • 2篇A-SI:H
  • 1篇多层膜
  • 1篇有序度
  • 1篇陨石
  • 1篇质谱
  • 1篇质谱法

机构

  • 18篇中山大学
  • 4篇广东工业大学
  • 2篇中国人民解放...

作者

  • 18篇彭少麒
  • 4篇薛新民
  • 4篇何艳阳
  • 4篇张海燕
  • 3篇陈宝琼
  • 3篇魏爱香
  • 3篇陈弟虎
  • 2篇苏子敏
  • 2篇王登玉
  • 1篇金波
  • 1篇陈军
  • 1篇余振新
  • 1篇赵善楷
  • 1篇陶衍侠
  • 1篇汪河洲
  • 1篇佘卫龙
  • 1篇张世宏
  • 1篇李泽峰
  • 1篇刘勇
  • 1篇成晓玲

传媒

  • 4篇中山大学学报...
  • 4篇材料研究学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇物理

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 3篇1989
  • 1篇1979
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无定形金刚石膜的光学性质被引量：3
1997年
采用磁过滤真空溅射离子沉积技术，研究了不同衬底负偏压下制备的样品的吸收光谱和光能隙，用632．8nm的椭圆偏振仪测量了膜的厚度和折射率．结果表明：衬底负偏压Vb在-50—20V范围内制备的样品，其光吸收主要是态的吸收，膜中有较多的SP3组份，光能降为3．1～3．4eV，形成无定形金刚石薄膜（a—D）
魏爱香陈弟虎彭少麒
关键词：无定形金刚石膜吸收光谱
碳弧法中碳包Fe纳米晶及其相关碳微团的形成被引量：6
1999年
用直流碳弧法在阳极石墨棒中加入α－Fe2O3产生碳包Fe纳米晶，研究在复合石墨棒中加入不同的Fe2O3含量对碳包Fe纳米晶的形貌、结构特性及晶粒尺寸分布的影响，探讨碳包Fe纳米晶的形成原因及碳弧法中氦气压力和Fe2O3含量对复合石墨棒所产生的碳灰的C60／70产率的影响．结果表明：Fe2O3复合石墨棒所产生的碳灰含有α－Fe相、Fe3C相和石墨相，没有氧化物相．复合阳极棒中的Fe2O3含量决定了碳包Fe纳米晶的数量和晶粒直径分布，碳弧法中的He气压力仍是影响掺Fe2O3阳极棒所产生的碳灰的C60／70产率的主要因素，但对碳包Fe纳米晶的产率影响不大.掺Fe2O3阳极棒所产碳灰的C60／70产率与氦气压力的关系和纯石墨阳极棒的这一关系比较，存在着显著的差别．
张海燕何艳阳薛新民成晓玲彭少麒
关键词：铁粉
非晶CN薄膜的制备及性质
1998年
采用磁过滤真空溅射离子沉积技术制备了一组非晶CN薄膜．利用红外光谱，紫外—可见吸收光谱和电导测量研究了其光学和电学性质，用X射线光电子能谱确定腹中N的原子百分比．结果表明：a－CN康有22001500和1350cm-1三个吸收带，表明C和N是以化学共价键形式结合的．这种股有较宽的光能随4．14eV，极低的电导率10－15（Ω·cm）-1．腹中N的原子百分比最大为47％．
魏爱香陈弟虎周友国林励萍彭少麒
关键词：碳氮薄膜非晶
a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜的皮秒时间分辨光致发光被引量：1
1991年
用时间分辨激光光谱学方法研究了a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜光生载流子初始动力学过程,分析了非平衡载流子的热释和复合机制。实验还表明多层膜的发光衰减截止时间、迁移率边和带尾宽度随N含量呈非单调变化规律,转折发生在x=0.85附近,这很可能是由于不同N组份引起多层膜内电场和结构变化的结果。
黄旭光汪河洲佘卫龙李庆行余振新金波彭少麒
关键词：SI多层膜光致发光皮秒
非晶金刚石薄膜的拉曼光谱研究被引量：11
2000年
碳离子的能量是影响非晶金刚石薄膜结构和性质最关键的工艺参数．采用磁过滤真空溅射离子技术，研究不同衬底偏压Ｖｂ（即不同碳离子能量）下制备的非晶金刚石薄膜的拉曼光谱和表面形貌．结果表明：－５０Ｖ≤Ｖｂ≤－１０Ｖ时，样品表面均匀、光滑，拉曼谱是对称且很宽的散射带;Ｖｂ＞－１０Ｖ或Ｖｂ＜－５０Ｖ时，已有晶团出现，表面粗糙度明显增加，拉曼谱明显地分裂为１５８０ｃｍ－１的Ｇ带和１３５０ｃｍ－１的Ｄ带．
陈弟虎魏爱香周友国范家海杨增红彭少麒魏爱香
关键词：非晶金刚石薄膜拉曼光谱表面形貌半导体薄膜
用Ar气制备在基管的研究
1999年
比较了在碳弧法中制各布基管时．用氦（He）气氛和用氩（Ar）气氛的制各工艺条件、阴极沉积物的生长速率、布基管产率与惰性气体压强的关系。研究表明，用Ar气氛制各布基管优于传统的用He气氛制备布基管。
薛新民张海燕王登玉何艳阳源可珊彭少麒
关键词：布基管
a-Si:H结的横向光生伏特效应
1989年
本文通过理论分析研究了a-Si:H结中横向光生伏特效应的定态与瞬态特性。所得结果表明理论与实验非常符合。值得注意的是,按理论关系应用常规不掺杂a-Si:H特性值估算的两个重要参数(样品中的薄层电阻1/σ_s和传输时间T_m)均比由实验得出的值大得多。基于合理的分析。我们认为在a-Si:H层中平行于结输运的电子可能具有异乎寻常高的载流子迁移率。
彭少麒苏子敏刘景希
关键词：半导体
a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究
1996年
利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．
陶衍侠彭少麒
关键词：有序度陨石
非晶硅光位置敏感器件
本发明属半导体非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的单质结或异质结的横向光生伏特效应制成的可测量光点位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工艺简单，输出光敏信号较大，对位置控制、目标跟踪及计算机方面的应用具有广...
苏子敏彭少麒
文献传递
非晶半导体的一些新进展被引量：1
1990年
十多年来，非晶态半导体基本概念的更新和技术应用的进展一直处于方兴未艾的状态．本文仅就两个最近极受重视的有关无序材料的结构与缺陷的问题（“中程序”与“浮键”）以及非晶半导体的应用发展动态作一扼要的介绍．
彭少麒李泽峰
关键词：非晶态半导体中程序
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