曲炳郡
- 作品数：43 被引量：32H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>
- GMR生物传感器研究进展
- 巨磁电阻(GMR)生物传感器以其IC兼容性、高灵敏度、标记稳定、价格低廉等优点,获得广泛关注。在GMR生物传感器研究领城,美国处于领先地位。对该领域的研究现状进行综述,并对该技术的前景进行展望。
- 任天令曲炳郡刘理天李志坚
- 关键词：生物传感器
- 文献传递
- TiNi形态记忆薄膜的光刻新工艺
- TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀.结果表明:溅射的Pt在HF/HN...
- 曲炳郡夏善红李路明王立鼎
- 关键词：TINI光刻MEMS器件
- 文献传递
- GMR薄膜抗辐照性能研究
- 2010年
- 研究了两种不同材料构成自旋阀结构的巨磁电阻(Giant magneto resistance,GMR)多层膜受质子辐照、电子辐照和γ射线辐照的影响。实验结果表明,辐照会引起磁电阻率的略微下降,但降幅均低于10%,并且GMR薄膜的矫顽力和交换场并不受辐照的影响。对比发现,GMR元件受太空环境中以质子辐射为主的影响非常小,这表明GMR元件在空间应用中具有广阔的前景。
- 郑洋曲炳郡赵复龙任天令刘理天
- 关键词：巨磁电阻质子辐照电子辐照Γ辐照
- 用于微机械的形状记忆合金薄膜工艺研究被引量：2
- 2002年
- 形状记忆合金薄膜以其功密度高、输出力和位移大成为微型机电系统领域最有潜力的微驱动材料之一。研究了丝材冷轧和溅射薄膜工艺 ,获得了理想的 Ti Ni薄膜 ,对于溅射工艺 ,给出了增加溅射薄膜中 Ti含量的一种新途径 ,并应用原子力显微镜对薄膜进行了微观形貌分析。
- 曲炳郡刘晓鹏李路明王立鼎
- 关键词：形状记忆合金微型机电系统冷轧原子力显微镜
- Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究被引量：1
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。
- 黄丽娜曲炳郡刘理天
- 关键词：脉冲激光沉积LA0.67SR0.33MNO3
- 磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究
- 2003年
- 通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响.结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(103/4π)A/m上升到600×(103/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大.研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响.
- 刘华瑞任天令曲炳郡刘理天库万军李伟杨芝茵
- 关键词：自旋阀巨磁电阻矫顽力
- 巨磁阻生物传感器对磁性聚苯乙烯微球检测
- 2012年
- 采用改进的悬浮聚合法制备磁性聚苯乙烯微球.利用扫描电子显微镜和振动样品磁强计对所合成磁性微球的尺寸和磁性能进行分析表征.采用巨磁阻生物传感器检测磁性微球的数量.结果表明:磁性微球粒径大小为0.5～50μm,比饱和磁化强度为4.56 A.m2.kg-1.巨磁阻生物传感器对磁性聚苯乙烯微球数量具有很好的可检测性.在一定的范围内,随着磁性微球数量的增多,传感器的输出信号增强.在磁性微球一定数量的情况下,随着磁性微球粒径的增大,传感器的电阻变化量先增大后减小.
- 侯涛官月平雷博杨明珠曲炳郡王强
- 关键词：磁性微球聚苯乙烯巨磁阻生物传感器粒径
- 自旋阀GMR薄膜结构、具有其的生物传感器及制作方法
- 本发明提出一种自旋阀巨磁电阻GMR薄膜结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；依次形成在所述缓冲层之上的复合自由层；形成在所述复合自由层之上的隔离层，所述隔离层为非磁材料；形成在所述隔离层之上的被钉扎层；形成在所述...
- 曲炳郡杨华雷博
- 文献传递
- 基于模糊神经网络的智能巨磁电阻传感器设计被引量：4
- 2007年
- 在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matlab仿真试验验证了该方法的有效性。最后,讨论了单芯片系统(SOC)实现该智能GMR磁传感器的可行性,为进一步的系统集成提供了理论基础。
- 张洵靳东明刘华瑞曲炳郡任天令刘理天
- 关键词：巨磁电阻模糊神经网络单芯片系统智能传感器线性校正
- 基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
- 本文通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91﹪,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe...
- 刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天
- 关键词：磁场传感器退火矫顽力
- 文献传递
