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李爱珍: 作品数：14 被引量：39H指数：4; 供职机构：复旦大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金上海市青年科技启明星计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生机械工程更多>>

合作作者

基于有序生物膜的电容型层胶粘蛋白新型免疫传感器被引量：4: 2003年; Laminine(Ln) has been identified as an important marker of liver fibrosis or cirrhosis. The Ln immunosensor was formed with thioglycolic acid to produce a self-assembled monolayer on the gold electrode surface. The monoclonal Ln antibody was orderly immobilized on the modified gold surface covalently using EDC/NHS. An unlabeled antigen combined on the antibody could reduce the capacitance of the electrode, which was evaluated by the potentiostatic method. The measurement was performed in microseconds. Ln antigen could be determined in the range of 2-50 ng/mL. The quick response made the immunosensor a promising clinical screening method.; 江德臣唐佳刘宝红沈先荣张松杨芃原李爱珍黄宜平孔继烈; 关键词：免疫传感器自组装抗原

微电极阵列芯片传感器: 本发明是微电极阵列芯片传感器。现有该类芯片传感器制备复杂、成本高、灵敏度不高。本发明提供了一种硅基表面的微电极阵列芯片传感器，该微电极阵列由叉指状微电极组成，该结构使正负电极之间距离足够小，保证了正负极之间电沉积电聚合功...; 孔继烈林殷茵刘宝红张松李爱珍黄宜平; 文献传递

微电极阵列芯片传感器: 本发明是微电极阵列芯片传感器。现有该类芯片传感器制备复杂、成本高、灵敏度不高。本发明提供了一种硅基表面的微电极阵列芯片传感器，该微电极阵列由叉指状微电极组成，该结构使正负电极之间距离足够小，保证了正负极之间电沉积电聚合功...; 孔继烈林殷茵刘宝红张松李爱珍黄宜平; 文献传递

多孔硅及其在SOI技术中的应用研究被引量：2: 1995年; 对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。; 黄宜平李爱珍汤庭熬鲍敏杭; 关键词：多孔硅 SOI 压力传感器

O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析被引量：1: 1999年; 结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．; 竺士炀黄宜平李爱珍吴东平王瑾茹国平包宗明; 关键词：SOI材料 SIMOX 半导体材料

高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究被引量：2: 1997年; 本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从100nm到数μm），且硅岛宽度可大于100μm．XTEM结果显示顶层硅／氧化层界面非常平整和均匀．在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器，环振的门延迟为396ps.; 黄宜平李爱珍邹斯洵李金华竺士炀; 关键词：SOI技术 CMOS

双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延被引量：6: 2000年; 报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺 .对获得的外延层作了 XRD、XTEM和扩展电阻等测量 ,测量结果表明硅外延层单晶性好 ,并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向 .硅外延层为 P型 ,电阻率大于 1 0 0 Ω·cm.; 王瑾黄靖云黄宜平李爱珍包宗明竺士炀叶志镇; 关键词：多孔硅硅外延

智能剥离SOI高温压力传感器被引量：11: 2001年; 采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约; 黄宜平竺士炀李爱珍鲍敏杭沈绍群王瑾吴东平; 关键词：SOI 压力传感器

采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究被引量：3: 1998年; 本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好．; 黄宜平李爱珍蒋美萍蒋美萍李金华竺士炀; 关键词：氧化硅 SOI CMOS 硅膜

智能剥离SOI材料的制备过程研究: 聚式缓慢地退火方法在较低的温度下(390℃)成功地获得了用智能剥离技术形成的SOI结构。用红外透射成象技术分析了智能剥离的准动态过程。由于H在硅中对硅器件的抗辐照性能有很大影响，用红外付立叶谱分析了注入在硅中的H离子在剥...; 吴东平包宗明李爱珍黄宜平宋丹丹; 关键词：SOI结构