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杨东

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信经济管理哲学宗教历史地理更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇历史地理

主题

  • 6篇电荷
  • 6篇沟道
  • 4篇电流
  • 4篇偏置
  • 4篇阈值电压
  • 4篇界面态
  • 4篇CMOS器件
  • 3篇自热
  • 3篇晶体管
  • 3篇抗辐照
  • 3篇SOI
  • 3篇SOI_MO...
  • 3篇SOI器件
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电荷分布
  • 2篇电荷共享

机构

  • 22篇北京大学

作者

  • 22篇杨东
  • 17篇黄如
  • 16篇安霞
  • 14篇张兴
  • 9篇谭斐
  • 6篇黄芊芊
  • 5篇黄良喜
  • 2篇罗长宝
  • 2篇刘长泽
  • 1篇冯慧
  • 1篇薛守斌
  • 1篇武唯康

传媒

  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
  • 8篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中在半导体体区引入两个防止泄漏通道产生的隔离保护层，该隔离...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
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基于垂直双栅的抗辐照晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括凸形沟道、源、漏、底栅和顶栅，凸形沟道左右两边延伸到源端，凸形沟道凸起的部分连接漏。本发明由于单粒子垂直漏端入射的时候只经过沟道的垂直...
黄如罗长宝安霞张兴杨东刘长泽
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基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2014年
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
冯慧安霞杨东谭斐黄良喜武唯康张兴黄如
关键词：自热效应热载流子注入效应热电阻SOI
一种提高LDMOS抗辐照特性的方法
本发明提供了一种提高LDMOS抗辐照特性的方法，属于集成电路抗辐照技术。本发明针对射频功率器件中的常规LDMOS晶体管结构提出：N型LDMOS晶体管的漂移区STI介质层和器件隔离区的介质层选用的材料和P型LDMOS晶体管...
薛守斌杨东黄如张兴
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《辩中边论》思想研究
杨东
关键词：佛教大乘宗教思想
知识经济下企业发展战略探讨
在知识经济时代，企业的发展是爆炸式的。这主要是企业在发展过程中充分发挥了知识的作用，充分体现了知识产权的特性。　　 本论文总结了知识经济时代企业发展的特点，并提出一个知识竞争模型。该模型以企业知识产权的重要性和市场的竞...
杨东
一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法
本发明公开了一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，属于半导体器件可靠性测试领域。该方法将NBT应力偏置中栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在不同时间NBT应力后，采用电荷泵法测得衬底电流，即时监控因NBTI效应...
安霞杨东黄良喜黄如
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一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区，该区域的掺杂类型和源区和漏区的掺杂类型相反，且掺杂浓度不小于源区和漏区的掺杂浓度。抑制电...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区。该附加隔离区的材料为多孔硅等，由于多孔硅是一种通过电化学阳极氧化单晶硅片形成的海绵状结构的功能材...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
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从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法
本发明公布了一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在S...
杨东黄良喜
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