杨宇
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：清华大学机械工程学院机械工程系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS_2薄膜性能影响被引量：5
- 2009年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。通过XRD及Raman光谱分析了薄膜结构,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明,随着预制膜中Cu与In原子比(Cu/In)及硫化温度不断升高,薄膜CuAu(CA)相含量逐渐降低,黄铜矿(CH)相逐渐升高,薄膜结晶性逐渐改善。600℃以上硫化时薄膜中主要存在CH相CuInS2。薄膜禁带宽度随着预制膜中Cu/In原子比及硫化温度不断升高而升高,Cu/In原子比为1.05,硫化温度为500℃时薄膜禁带宽度可达1.40eV。
- 杨宇张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池CIS薄膜硫化温度
- 硫化时间对于固态硫化CuInS_2薄膜性能影响被引量：4
- 2010年
- 采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜，采用固态硫化法制备获得了CuInS2（OS）吸收层薄膜。考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响。通过XRD分析了薄膜结构，通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分，通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明，在400℃硫化10，15，20，25，30min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜，并且具有（112）面择优取向。以上各硫化时间下，均能形成均匀且晶粒大小为1μm的CIS薄膜，薄膜禁带宽度约为1．10～1．22eV之间。
- 杨宇张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池CIS磁控溅射硫化时间
- CuInS<sub>2</sub>及Cu（InGa）S<sub>2</sub>薄膜制备工艺及性能研究
- CuIn(Ga)S2薄膜太阳能电池由于开路电压高、制造成本低、性能稳定等优点,因此被认为是广泛应用前途的第三代太阳能电池之一。本文主要研究内容包括:采用中频交流溅射方法,分别用旋转交替法和单独溅射CuIn和CuGa合金靶...
- 杨宇
- 关键词：CIS薄膜CIGS薄膜磁控溅射
