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杨菲

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇氧化物
  • 2篇锑化镓
  • 2篇介质材料
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇材料性质
  • 1篇砷化镓
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇高介电常数

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇刘立峰
  • 2篇柴春林
  • 2篇李艳丽
  • 2篇杨菲
  • 2篇陈诺夫
  • 2篇尹志刚

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种制备三元高K栅介质材料的方法
本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半...
李艳丽陈诺夫刘立峰尹志刚杨菲柴春林
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一种制备三元高介电常数栅介质材料的方法
本发明涉及制备高介电常数栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高介电常数材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高介电常数薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓...
李艳丽陈诺夫刘立峰尹志刚杨菲柴春林
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