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武洁

作品数:3 被引量:26H指数:2
供职机构:电子科技大学IC设计中心更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇LDMOS
  • 1篇单晶
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇频率抖动
  • 1篇漏极
  • 1篇模糊控制
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇宏模型
  • 1篇RESURF
  • 1篇BCD

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇武洁
  • 2篇罗萍
  • 2篇李肇基
  • 1篇曾家玲
  • 1篇方健
  • 1篇牛全民
  • 1篇李强
  • 1篇熊富贵
  • 1篇苏健

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
新型开关电源的关键技术被引量:19
2005年
阐述了新型开关电源的关键技术。采用跨周期调制和电流极限状态机相结合,引入模糊 控制理论和混沌理论,使新型开关电源在能量转换效率、瞬态响应速度、负载调整率、抗扰动性能等 方面的特性得到显著提高;应用频率抖动(FJ)技术,实现开关电源低EMI性能。随着半导体功率开 关器件的快速发展,新型开关电源将会更加短、小、轻、薄、节能、安全,实现高效率和高品质的统一。
罗萍李强熊富贵武洁牛全民曾家玲张波李肇基
关键词:模糊控制频率抖动
Double RESURF LDMOS及电源管理电路BCD工艺研究
RESURF/(REduced SURface Field/)技术是设计横向功率器件的关键技术之一。Double RESURF 技术在提高器件反向耐压的情况下,可使器件导通电阻明显地降低。本文提出P 型多环结构的新型Do...
武洁
关键词:高压LDMOS击穿电压导通电阻
文献传递
700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型被引量:5
2004年
 文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究。借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasidrain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果。
苏健方健武洁张波李肇基罗萍
关键词:LDMOS宏模型
共1页<1>
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