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王一军

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇多层膜
  • 1篇交换耦合
  • 1篇磁矩
  • 1篇磁性多层膜

机构

  • 1篇北京科技大学

作者

  • 1篇王一军
  • 1篇于广华
  • 1篇刘洋

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Pt插层对铁磁/反铁磁界面交换耦合的影响被引量：1
2012年
在铁磁层(FM)/反铁磁层(FeMn)耦合体系中插入Pt插层或对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,研究了体系的交换偏置场H_(ex)及矫顽力H_c随Pt插层深度dPt与Pt掺杂层厚度t_(ptFeMn)的变化关系.实验结果表明,引入Pt插层后NiFe/FeMn(d_(pt))/Pt/FeMn体系的未补偿磁矩(UCS)的数量得到很大的提高,从而对H_(ex)与H_c起到增强的作用;同时,从实验结果可以推测FeMn层内部UCS的分布深度约为1.3 nm.另外,对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,发现掺入Pt元素后体系的H_(ex)得到有效增强,这是因为掺入Pt元素后体系UCS的数量也得到很大的提高.
王一军刘洋于广华
关键词：磁性多层膜交换耦合
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共1页<1>
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