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王伟强

作品数：19 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 14篇分子束
  • 14篇分子束外延
  • 11篇红外
  • 9篇碲镉汞
  • 7篇焦平面
  • 7篇红外焦平面
  • 6篇HGCDTE
  • 4篇探测器
  • 4篇SI基
  • 2篇少子寿命
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇分子束外延材...
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇MBE
  • 2篇MBE生长
  • 2篇NBN

机构

  • 18篇中国科学院
  • 5篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 19篇王伟强
  • 17篇陈路
  • 15篇傅祥良
  • 15篇何力
  • 10篇沈川
  • 5篇吴俊
  • 5篇巫艳
  • 5篇魏青竹
  • 4篇于梅芳
  • 4篇顾仁杰
  • 4篇杨凤
  • 4篇张彬
  • 4篇王高
  • 3篇丁瑞军
  • 2篇郭余英
  • 2篇乔怡敏
  • 2篇叶振华
  • 2篇胡晓宁
  • 2篇林春
  • 2篇王元樟

传媒

  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇第十届全国分...
  • 3篇激光与红外
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇第16届全国...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2007
  • 2篇2006
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷被引量：3
2007年
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词：HGCDTE分子束外延
碲镉汞外延材料纵向差异性的变温光致发光分析
朱亮王伟强祁镇陈路何力邵军
Si基HgCdTe材料的电学特性研究被引量：2
2007年
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳王伟强傅祥良何力
关键词：SI基HGCDTE电学参数少子寿命分子束外延
MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1
2017年
采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件的陷阱辅助隧穿电流.拟合结果表明,较高浓度的Nt很可能与高浓度As掺入相关.因此As的稳定均匀掺入和激活被认为是主要技术挑战.实验研究了分子束外延过程中Hg/Te束流比与As掺入效率的关系,发现相对富Hg的外延条件有助于提高As掺杂效率.研究还发现As的晶圆内掺杂均匀性与Hg/Te束流比的均匀性密切相关.对As的激活退火进行了研究,发现在饱和Hg蒸汽压中采用300℃/16h+420℃/1 h+240℃/48 h的退火条件能明显提升碲镉汞中As原子的激活率.
赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力
关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管被引量：7
2013年
对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10 V反偏电压下,该器件电流增益可达335.
顾仁杰沈川王伟强付祥良郭余英陈路
关键词：碲镉汞雪崩光电二极管
e-APD HgCdTe分子束外延材料研究
第三代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面阵列技术正向大规模、集成化、多光谱、弱信号及三维成像方向发展.HgCdTe因其具有高吸收系数、空穴和电子的离化系数差异很大等特性，是制备高信噪比的雪崩器件(APD)的优选材料，可以实...
陈路顾仁杰胡伟达王伟强沈川傅祥良林春丁瑞军何力
关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行...
陈路傅祥良巫艳吴俊王伟强魏青竹王元樟何力
关键词：红外探测器分子束外延
文献传递
分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化被引量：1
2016年
通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考.
沈川陈路傅祥良王伟强卜顺栋何力
关键词：分子束外延HGCDTE数值模拟
HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用
阐述了针对第三代红外焦平面的应用需求所进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表...
陈路何力傅祥良顾仁杰王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军
关键词：红外焦平面探测器碲镉汞材料分子束外延
文献传递
分子束外延生长的HgCdTe NBN结构的理论计算和优化研究
众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临着P型掺杂的问题.不管是Hg空位掺杂还是As...
沈川陈路傅祥良王伟强何力
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