王天琦
- 作品数：55 被引量：13H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法
- 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深...
- 刘超铭王天琦张延青齐春华马国亮霍明学李何依魏轶聃
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 抗多节点翻转的存储单元
- 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体...
- 肖立伊齐春华李安龙王天琦柳姗姗
- 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法
- 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。...
- 刘超铭周佳明张延清齐春华马国亮王天琦王新胜李何依霍明学
- 65nm近阈值SRAM稳定性分析被引量：2
- 2017年
- 本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一倍.因此使该新型8管单元在实现低功耗的基础上保证了读写的稳定性.另外针对工艺波动对读噪声容限的影响进行分析,与6T-SRAM相比,新型8T-SRAM受工艺波动的影响更小.
- 于雨情王天琦齐春华肖立伊喻沛孚
- 关键词：低功耗工艺波动
- 倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
- 2020年
- 本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
- 张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
- 关键词：电子辐照退火效应
- 一种电子元器件的可靠性预测系统
- 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预...
- 刘超铭高乐王铭峥王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 面向投票类AI分类器的零冗余存储器容错设计
- 2024年
- 投票类分类器广泛应用于多种人工智能(Artificial Intelligence,AI)场景,在其电路系统中,用于存储已知样本信息的存储器易受到辐射、物理特性变化等多种效应影响,引发软错误,继而可能导致分类失败。因此,在高安全性领域应用的AI分类器,其存储电路需要进行容错设计。现有存储器容错技术通常采用错误纠正码,但面向AI系统,其引入的冗余会进一步加剧本就面临挑战的存储负担。因此本文提出一种零冗余存储器容错技术,采用纠正错误对分类结果的负面影响而非纠正错误本身的设计思想,利用错误造成的数据翻转现象恢复出正确的分类结果。通过对k邻近算法进行实验验证,本文提出的技术在不引入任何冗余的情况下可达到近乎完全的容错能力,且相比于现有技术,节省了大量硬件开销。
- 柳姗姗金辉刘思佳王天琦周彬马瑶王碧常亮周军
- 关键词：存储器软错误分类器
- 一种功率MOSFET可靠性的建模方法
- 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法
- 负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法，涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种存储器在多位翻转效应下可靠性评估模型的设计方法。为了解决现有的存储器抗多位翻转可靠性评估模型设计方法设计出的模型评估准...
- 肖立伊柳姗姗曹雪兵王天琦叶蓉
